是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SOIC-8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.33.00.01 |
风险等级: | 5.06 | 放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构: | VOLTAGE-FEEDBACK | 最大平均偏置电流 (IIB): | 0.038 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB): | 0.05 µA | 最小共模抑制比: | 94 dB |
标称共模抑制比: | 114 dB | 频率补偿: | YES |
最大输入失调电压: | 1000 µV | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 4.9 mm |
低-偏置: | NO | 低-失调: | NO |
微功率: | YES | 湿度敏感等级: | 1 |
负供电电压上限: | -22 V | 标称负供电电压 (Vsup): | -15 V |
功能数量: | 2 | 端子数量: | 8 |
最高工作温度: | 105 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP8,.25 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 包装方法: | TUBE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 功率: | NO |
电源: | 5/+-15 V | 可编程功率: | NO |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.75 mm |
最小摆率: | 0.2 V/us | 标称压摆率: | 0.4 V/us |
子类别: | Operational Amplifier | 最大压摆率: | 1.2 mA |
供电电压上限: | 22 V | 标称供电电压 (Vsup): | 15 V |
表面贴装: | YES | 技术: | BIPOLAR |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽: | 1000 kHz | 最小电压增益: | 500000 |
宽带: | NO | 宽度: | 3.9 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
LT1013DDR | TI |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
LT1013DIDG4 | TI |
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LT1013DIDR | TI |
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LT1013DIDR | ROCHESTER |
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DUAL OP-AMP, 1000uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, PDSO8, GREEN, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8 | |
LT1013DIDRE4 | TI |
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LT1013DIDRG4 | TI |
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LT1013-DIE | TI |
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LT1013-DIE 高精度双路运算放大器 | |
LT1013DIP | TI |
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LT1013DIP | ROCHESTER |
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DUAL OP-AMP, 1000uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, PDIP8, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8 | |
LT1013DIPE4 | TI |
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LT1013DJG | TI |
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