生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-39 |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.23 | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 0.2 A | 基于收集器的最大容量: | 1.6 pF |
集电极-发射极最大电压: | 20 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 70 | JEDEC-95代码: | TO-39 |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 200 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 极性/信道类型: | NPN |
最大功率耗散 (Abs): | 3.5 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 3000 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
LT1001AC | Linear |
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Precision Operational Amplifier | |
LT1001ACH | Linear |
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Precision Operational Amplifier | |
LT1001ACJ8 | Linear |
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Precision Operational Amplifier | |
LT1001ACJG | TI |
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OP-AMP, 60uV OFFSET-MAX, 0.8MHz BAND WIDTH, CDIP8, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, D | |
LT1001ACL | TI |
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OP-AMP, 60uV OFFSET-MAX, 0.8MHz BAND WIDTH, MBCY8, HERMETIC SEALED, METAL CAN-8 | |
LT-1001ACM | RAYTHEON |
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Operational Amplifier, 1 Func, 60uV Offset-Max, BIPolar, PDSO8, PLASTIC, SOIC-8 | |
LT-1001ACN | RAYTHEON |
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Operational Amplifier, 1 Func, 60uV Offset-Max, BIPolar, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 | |
LT1001ACN8 | Linear |
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Precision Operational Amplifier | |
LT1001ACN8#PBF | Linear |
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LT1001 - Precision Operational Amplifier; Package: PDIP; Pins: 8; Temperature Range: 0& | |
LT1001ACP | ROCHESTER |
获取价格 |
OP-AMP, 60uV OFFSET-MAX, 0.8MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 |