LS4151

更新时间： 2024-11-16 11:43:43

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固锝 - GOOD-ARK		整流二极管开关
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2页	98K
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Fast Switching Diode

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LS4151 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
最大非重复峰值正向电流：	2 A	元件数量：	1
最高工作温度：	175 °C	最大输出电流：	0.15 A
最大重复峰值反向电压：	75 V	最大反向恢复时间：	0.004 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

LS4151 数据手册

LS4151

Fast Switching Diode

Features

ꢀ Silicon Epitaxial Planar Diode

ꢀ Electrical data identical with the device 1N4151

ꢀ Quadro Melf package

Applications

ꢀ Extreme fast switches

Mechanical Data

ꢀ Case:QuadroMELF Glass Case (SOD-80)

ꢀ Weight: approx. 34 mg

ꢀ Cathode Band Color: Black

ꢁAbsolute Maximum Ratings

( T_amb=25^oC unless otherwise specified )

Parameter

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

Test Condition

Symbol

V_RRM

V_R

Value

Unit

Peak forward surge current

Repetitive peak forward current

Forward current

t_p= 1 us

I_FSM

I_FRM

I_F

500

300

150

500

Average forward current

Power dissipation

V_R=0

I_FAV

P_V

ꢁThermal Characteristics

( T_amb=25^oC unless otherwise specified )

Parameter

Test Condition

Symbol

Value

Unit

Junction ambient

on PC board

50 mm X 50mm X 1.6mm

R_thJA

500

K/W

Junction temperature

175

^oC

Stroage temperature range

T_stg

-65 to +175

ꢁElectrical Characteristics

( T_amb=25^oC unless otherwise specified )

Parameter

Test Condition

Symbol

Min.

Typ.

Max.

1.0

Unit

Forward voltage

Reverse current

I_F=50mA

V_F

0.88

V_R=50V

I_R

V_R=50V, T=150^oC

Breakdown voltage

Diode capacitance

Reverse recovery time

I_R=5uA, t_p/T=0.01, t_p=0.3ms

V_R=0, f=1MHz, V_HF=50mV

I_F=I_R=10mA, i_R=1mΑ

V_(BR)

C_D

t_rr

I_F=10mA, V_R=6V,

i_R=0.1x I_R, R_L=100Ω

662

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