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LS4150GS08

更新时间： 2024-01-28 22:14:34
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 104K
描述
SIGNAL DIODE, GLASS, QUADROMELF-2

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LS4150GS08 技术参数

生命周期：TransferredReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.68其他特性：HIGH SPEED SWITCH
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-30 代码：O-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流：4 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最大输出电流：0.3 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
最大功率耗散：0.5 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：50 V最大反向电流：0.1 µA
最大反向恢复时间：0.004 µs表面贴装：YES
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
Base Number Matches：1

LS4150GS08 数据手册

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LS4150  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
Small Signal Fast Switching Diode  
FEATURES  
• Silicon epitaxial planar diode  
• Low forward voltage drop  
• High forward current capability  
• QuadroMELF package  
• AEC-Q101 qualified  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
APPLICATIONS  
DESIGN SUPPORT TOOLS click logo to get started  
• High speed switch and general purpose  
• Use in computer and industrial applications  
Models  
Available  
MECHANICAL DATA  
Case: QuadroMELF (SOD-80)  
Weight: approx. 34 mg  
Cathode band color: black  
Packaging codes / options:  
GS18/10K per 13" reel (8 mm tape), 10K/box  
GS08/2.5K per 7" reel (8 mm tape), 12.5K/box  
PARTS TABLE  
PART  
ORDERING CODE  
TYPE MARKING  
CIRCUIT CONFIGURATION  
REMARKS  
LS4150  
LS4150GS18 or LS4150GS08  
-
Single  
Tape and reel  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
SYMBOL  
VRRM  
VR  
VALUE  
50  
UNIT  
V
Repetitive peak reverse voltage  
Reverse voltage  
50  
V
Peak forward surge current  
Forward continuous current  
Average forward current  
Power dissipation  
tp = 1 μs  
IFSM  
IF  
IF(AV)  
Ptot  
4
A
600  
300  
500  
mA  
mA  
mW  
V
R = 0  
THERMAL CHARACTERISTICS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
On PC board  
50 mm x 50 mm x 1.6 mm  
Thermal resistance junction to ambient air  
RthJA  
300  
K/W  
Junction temperature  
Tj  
175  
°C  
°C  
Storage temperature range  
Tstg  
-65 to +175  
Rev. 2.0, 14-Jul-17  
Document Number: 85562  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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