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LS4148L0

更新时间： 2024-11-16 05:42:59
品牌 Logo 应用领域
TSC 二极管开关
页数 文件大小 规格书
2页 102K
描述
500mW High Speed SMD Switching Diode

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LS4148L0 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：O-LELF-R2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.32Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-213JESD-30 代码：O-LELF-R2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：200 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：0.15 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.5 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：75 V
最大反向恢复时间：0.004 µs表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：WRAP AROUND
端子位置：END处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

LS4148L0 数据手册

 浏览型号LS4148L0的Datasheet PDF文件第2页 
LS4148/LS4448/LS914B  
500mW High Speed SMD Switching Diode  
Small Signal Diode  
QUADRO Mini-MELF (LS34)  
HERMETICALLY SEALED GLASS  
C
Features  
—Fast switching device(Trr<4.0nS)  
—Surface device type mounting  
—Moisture sensitivity level 1  
B
D
E
—Matte Tin(Sn) lead finish with Nickel(Ni) underplate  
—Pb free version and RoHS compliant  
A
—All External Surfaces are Corrosion Resistant and  
Leads are Readily Solderable  
Unit (mm)  
Min Max  
Unit (inch)  
Min Max  
Dimensions  
Mechanical Data  
A
B
C
D
E
—Case : QUADRO Mini-MELF Package (JEDEC DO-213)  
—High temperature soldering guaranteed : 270°C/10s  
—Polarity : Indicated by cathode band  
—Weight : 29 ± 2.5 mg  
3.30 3.70 0.130 0.146  
1.40 1.60 0.055 0.063  
0.25 0.40 0.010 0.016  
1.25 1.40 0.049 0.055  
1.80  
0.071  
Ordering Information  
Part No.  
LSxxxx L1  
LSxxxx L0  
Package  
Packing  
QUADRO Mini-MELF  
2.5Kpcs / 7" Reel  
QUADRO Mini-MELF 10Kpcs / 13" Reel  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Maximum Ratings  
Type Number  
Symbol  
PD  
Value  
Units  
mW  
V
Power Dissipation  
500  
100  
75  
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Peak Forward Surge Current  
VRSM  
VRRM  
IFSM  
V
2
A
Non-Repetitive Peak Forward Current  
Mean Forward Current  
IFM  
450  
150  
300  
mA  
mA  
°C/W  
°C  
IO  
Thermal Resistance (Junction to Ambient) (Note 1)  
Junction and Storage Temperature Range  
RθJA  
TJ, TSTG  
-65 to + 200  
Electrical Characteristics  
Type Number  
Symbol  
Min  
Max  
Units  
100  
75  
-
-
IR=100uA  
Reverse Breakdown Voltage  
IR=5uA  
V(BR)  
V
Forward Voltage  
0.62  
0.72  
1.0  
1.0  
25  
LS4448, LS914B  
LS4148  
IF=5.0mA  
VF  
IR  
-
-
-
-
-
-
V
IF=10.0mA  
IF=100.0mA  
VR=20V  
LS4448, LS914B  
nA  
μA  
pF  
ns  
Reverse Leakage Current  
5.0  
4.0  
4.0  
VR=75V  
CJ  
Junction Capacitance  
VR=0, f=1.0MHz  
Trr  
Reverse Recovery Time (Note 2)  
Notes:1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature  
Notes:2. Reverse Recovery Test Conditions: IF=IR=10mA, RL=100Ω, IRR=1mA  
Version : C09  
12

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