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LRB550V-30T1G

更新时间： 2024-10-19 12:26:39

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乐山 - LRC		二极管
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3页	120K
描述
Schottky barrier diode G eneral rectification

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LRB550V-30T1G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	R-PDSO-G2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.7	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.39 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	最大非重复峰值正向电流：	3 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大重复峰值反向电压：	30 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

LRB550V-30T1G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

Schottky barrier diode

LRB550V-30T1GG

LRB550V-30T1G

zApplications

General rectification

zFeatures

1) Small surface mounting type.

2) Low V_F,Low I_R

SOD– 323

3) High reliability.

We declare that the material of product

compliance with RoHS requirements.

CATHODE

ANODE

zConstruction

Silicon epitaxial planar

zDevice Marking and Ordering Information

Device

Marking

Shipping

LRB550V-30T1G

3000/Tape&Reel

LRB550V-30T3G

10000/Tape&Reel

zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current

Forward current surge peak

Junction temperature

0.5

I_FSM

150

-40 to +150

℃

Storage temperature

Tstg

∗ 60Hz for 1

zElectrical characteristics (Ta = 25°C)

Parameter

Conditions

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.39

0.6 0

Unit

_F1

I_F=100mA

I_F=700mA

V_R=10V

Forward voltage

V_F2

I_R

Reverse current

µA

Rev.O 1/3

12 3

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