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LRB520S-30T1G

更新时间: 2024-10-19 11:43:15
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
3页 66K
描述
SCHOTTKY BARRIER DIODE

LRB520S-30T1G 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Contact Manufacturer
零件包装代码:SC-79包装说明:R-PDSO-F2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.67配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.6 VJESD-30 代码:R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流:1 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压:30 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

LRB520S-30T1G 数据手册

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
SCHOTTKYBARRIERDIODE  
LRB520S-30T1  
zApplications  
Low current rectification and high speed switching  
1
zFeatures  
Extremelysmall surface mounting type. (SC-79/SOD523)  
Low IR.(IR=0.1mA Typ.)  
2
High reliability.  
Pb-Free package is available.  
SOD523/SC-79  
zConstruction  
Silicon epitaxial planar  
2
1
DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION  
Anode  
Cathode  
Device  
Marking  
Shipping  
LRB520S-30T1  
5J  
3000/Tape&Reel  
5J  
LRB520S-30T1G  
3000/Tape&Reel  
(Pb-Free)  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
30  
Unit  
V
DC reverse voltage  
VR  
IO  
Mean rectifying current  
Peak forward surge current  
Junction temperature  
Storage temperature  
200  
mA  
A
IFSM  
1
T
j
125  
°C  
°C  
Tstg  
-40~+125  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(TA=25°C)  
Parameter  
Forward voltage  
Reverse current  
Symbol  
Min.  
-
Typ  
-
Max.  
Unit  
Conditions  
VF  
IR  
0.60  
V
IF=200mA  
=10V  
VR  
-
-
1.0  
µA  
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