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LRB520G-30T1G

更新时间： 2024-10-19 12:01:31

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乐山 - LRC		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	294K
描述
Schottky barrier diode P b - free pack age is available

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LRB520G-30T1G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	R-PDSO-F2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.45 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流：	0.5 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压：	30 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

LRB520G-30T1G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

Schottky barrier diode

Pb - free package is available

LRB520G-30T1G

zApplications

Low current rectification

zFeatures

1) Ultra Small mold type.

2) Low I_R.

3) High reliability.

SOD-723

zConstruction

Silicon epitaxial planar

zDevice Marking

Device

Marking

Shipping

LRB520G-30T1G

4000/Tape&Reel

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_R

Unit

Reverse voltage(DC)

Average rectified forward current

Forward current surge peak （60Hz・1cyc）

Junction temperature

100

500

125

I_FSM

℃

Storage temperature

-40 to +125

Tstg

℃

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Reverse current

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.45

0.5

Unit

Conditions

V_F

I_R

I_F=10mA

V_R=10V

µA

Rev.O 1/4

12 3 4

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