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LRB411DLT3G

更新时间： 2024-10-19 12:26:39

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乐山 - LRC		二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	405K
描述
Schottky barrier diode Low current rectification

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LRB411DLT3G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.3 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	最大非重复峰值正向电流：	3 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大重复峰值反向电压：	40 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

LRB411DLT3G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

Schottky barrier diode

LRB411DLT1G

zApplications

Low current rectification

zFeatures

1) Small mold type. (SOT-23)

SOT– 23

2) Low I

3) High reliability.

zConstruction

Silicon epitaxial planar

CATHODE

ANODE

We declare that the material of product

compliance with RoHS requirements.

zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)

Parameter

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

500

Average rectified forward current *1

（

）

Forward current surge peak 60Hz 1cyc *1

）（）

I_FSM

（

・

Junction temperature

Storage temperature

125

℃

-40 to +125

Tstg

(*1) Rating of per diode

zElectrical characteristics (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Conditions

V_F1

V_F2

I_R1

0.50

0.30

I_F=500mA

I_F=10mA

V_R=10V

Forwarad voltage

Reverse current

µA

Capacitance between terminal

Ct1

V_R=10V , f=1MHz

Device marking and ordering information

Shipping

Device

Marking

3000/Tape&Reel

D3E

LRB411DLT1G

LRB411DLT3G

10000/Tape&Reel

D3E

Rev.O 1/4

12 3 4

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