Datasheet > 放大器电路 > 运算放大器> LPC662IMX/NOPB

LPC662IMX/NOPB

更新时间： 2024-11-26 12:57:51

品牌	Logo	应用领域
美国国家半导体 - NSC		运算放大器
页数	文件大小	规格书
16页	588K
描述
IC DUAL OP-AMP, 6000 uV OFFSET-MAX, 0.35 MHz BAND WIDTH, PDSO8, ROHS COMPLIANT, SOIC-8, Operational Amplifier

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LPC662IMX/NOPB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP, SOP8,.25
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.33.00.01
风险等级：	5.1	Is Samacsys：	N
放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER	架构：	VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)：	0.000004 µA	最小共模抑制比：	63 dB
标称共模抑制比：	83 dB	频率补偿：	YES
最大输入失调电压：	6000 µV	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	长度：	4.9 mm
低-偏置：	YES	低-失调：	NO
微功率：	YES	湿度敏感等级：	1
负供电电压上限：		标称负供电电压 (Vsup)：
功能数量：	2	端子数量：	8
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	包装方法：	TAPE AND REEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	5/15 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.75 mm
最小摆率：	0.05 V/us	标称压摆率：	0.11 V/us
子类别：	Operational Amplifier	最大压摆率：	0.16 mA
供电电压上限：	16 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
标称均一增益带宽：	350 kHz	最小电压增益：	50000
宽度：	3.9 mm	Base Number Matches：	1

LPC662IMX/NOPB 数据手册

March 1998

LPC662

Low Power CMOS Dual Operational Amplifier

n Long-term integrator

General Description

n High-impedance preamplifier

The LPC662 CMOS Dual operational amplifier is ideal for

n Active filter

operation from a single supply. It features a wide range of

operating voltage from +5V to +15V, rail-to-rail output swing

in addition to an input common-mode range that includes

n Sample-and-Hold circuit

n Peak detector

ground. Performance limitations that have plagued CMOS

amplifiers in the past are not a problem with this design. In-

put V_OS, drift, and broadband noise as well as voltage gain

(into 100 kΩ and 5 kΩ) are all equal to or better than widely

accepted bipolar equivalents, while the power supply re-

quirement is typically less than 0.5 mW.

Features

n Rail-to-rail output swing

n Micropower operation ( 0.5 mW)

n Specified for 100 kΩ and 5 kΩ loads

n High voltage gain

n Low input offset voltage

n Low offset voltage drift

n Ultra low input bias current

n Input common-mode includes GND

n Operating range from +5V to +15V

n Low distortion

120 dB

3 mV

1.3 µV/˚C

2 fA

This chip is built with National’s advanced Double-Poly

Silicon-Gate CMOS process.

See the LPC660 datasheet for a Quad CMOS operational

amplifier and LPC661 for a single CMOS operational ampli-

fier with these same features.

0.01% at 1 kHz

0.11 V/µs

Applications

n High-impedance buffer

n Precision current-to-voltage converter

n Slew rate

n Full military temperature range available

Connection Diagram

8-Pin DIP/SO

DS010548-1

Top View

Ordering Information

Package

Temperature Range

NSC

Transport

Media

Drawing

Military

Industrial

8-Pin

Side Brazed

Ceramic DIP

8-Pin

LPC662AMD

D08C

Rail

LPC662AIM

or LPC662IM

LPC662AIN

or LPC662IN

M08A

N08E

J08A

Rail

Tape and Reel

Rail

Small Outline

8-Pin

Molded DIP

8-Pin

LPC662AMJ/883

DS010548

Rail

Ceramic DIP

www.national.com

12 3 4 5 6 7...16

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LPC662IMX/NOPB 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
LMC6042IM	NSC	功能相似	CMOS Dual Micropower Operational Amplifier

与LPC662IMX/NOPB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
LPC662IN	NSC	获取价格	Low Power CMOS Dual Operational Amplifier
LPC67	NXP	获取价格	32-bit ARM Cortex-M3 microcontroller; up to 512 kB flash and 64 kB SRAM with Ethernet, USB
LPC73F12CDT	CTS	获取价格	Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 7.373MHz Nom,
LPC73F13CLT	CTS	获取价格	Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 7.373MHz Nom,
LPC73F13CST	CTS	获取价格	Series - Fundamental Quartz Crystal, 7.373MHz Nom,
LPC73F15CJT	CTS	获取价格	Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 7.373MHz Nom,
LPC73F22IDT	CTS	获取价格	Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 7.373MHz Nom,
LPC73F2XCAT	CTS	获取价格	Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 7.373MHz Nom,
LPC73F31IGT	CTS	获取价格	Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 7.373MHz Nom,
LPC73F32CAT	CTS	获取价格	Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 7.373MHz Nom,

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