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LPC662IMDC PDF预览

LPC662IMDC

更新时间： 2024-11-23 13:09:27
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 运算放大器
页数 文件大小 规格书
16页 588K
描述
IC DUAL OP-AMP, 6000 uV OFFSET-MAX, 0.35 MHz BAND WIDTH, UUC, WAFER, Operational Amplifier

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LPC662IMDC 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：WAFER包装说明：DIE, DIE OR CHIP
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01风险等级：5.67
Is Samacsys：N放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：VOLTAGE-FEEDBACK标称共模抑制比：83 dB
频率补偿：YES最大输入失调电压：6000 µV
JESD-30 代码：X-XUUC-N低-偏置：YES
低-失调：NO微功率：YES
湿度敏感等级：1负供电电压上限：
标称负供电电压 (Vsup)：功能数量：2
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIE
封装等效代码：DIE OR CHIP封装形状：UNSPECIFIED
封装形式：UNCASED CHIP峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：5/15 V认证状态：Not Qualified
最小摆率：0.03 V/us标称压摆率：0.11 V/us
子类别：Operational Amplifiers最大压摆率：0.16 mA
供电电压上限：16 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：40
标称均一增益带宽：350 kHz最小电压增益：40000
Base Number Matches：1

LPC662IMDC 数据手册

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March 1998  
LPC662  
Low Power CMOS Dual Operational Amplifier  
n Long-term integrator  
General Description  
n High-impedance preamplifier  
The LPC662 CMOS Dual operational amplifier is ideal for  
n Active filter  
operation from a single supply. It features a wide range of  
operating voltage from +5V to +15V, rail-to-rail output swing  
in addition to an input common-mode range that includes  
n Sample-and-Hold circuit  
n Peak detector  
ground. Performance limitations that have plagued CMOS  
amplifiers in the past are not a problem with this design. In-  
put VOS, drift, and broadband noise as well as voltage gain  
(into 100 kΩ and 5 kΩ) are all equal to or better than widely  
accepted bipolar equivalents, while the power supply re-  
quirement is typically less than 0.5 mW.  
Features  
n Rail-to-rail output swing  
<
n Micropower operation ( 0.5 mW)  
n Specified for 100 kΩ and 5 kΩ loads  
n High voltage gain  
n Low input offset voltage  
n Low offset voltage drift  
n Ultra low input bias current  
n Input common-mode includes GND  
n Operating range from +5V to +15V  
n Low distortion  
120 dB  
3 mV  
1.3 µV/˚C  
2 fA  
This chip is built with National’s advanced Double-Poly  
Silicon-Gate CMOS process.  
See the LPC660 datasheet for a Quad CMOS operational  
amplifier and LPC661 for a single CMOS operational ampli-  
fier with these same features.  
0.01% at 1 kHz  
0.11 V/µs  
Applications  
n High-impedance buffer  
n Precision current-to-voltage converter  
n Slew rate  
n Full military temperature range available  
Connection Diagram  
8-Pin DIP/SO  
DS010548-1  
Top View  
Ordering Information  
Package  
Temperature Range  
NSC  
Transport  
Media  
Drawing  
Military  
Industrial  
8-Pin  
Side Brazed  
Ceramic DIP  
8-Pin  
LPC662AMD  
D08C  
Rail  
LPC662AIM  
or LPC662IM  
LPC662AIN  
or LPC662IN  
M08A  
N08E  
J08A  
Rail  
Tape and Reel  
Rail  
Small Outline  
8-Pin  
Molded DIP  
8-Pin  
LPC662AMJ/883  
DS010548  
Rail  
Ceramic DIP  
© 1999 National Semiconductor Corporation  
www.national.com  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
LPC662IMWC TI

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 		DUAL OP-AMP, 6000 uV OFFSET-MAX, 0.35 MHz BAND WIDTH, UUC
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