是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SOP, SOP8,.25 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.33.00.01 |
风险等级: | 5.1 | Is Samacsys: | N |
放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER | 架构: | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB): | 0.000004 µA | 最小共模抑制比: | 68 dB |
标称共模抑制比: | 83 dB | 频率补偿: | YES |
最大输入失调电压: | 3000 µV | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 4.9 mm |
低-偏置: | YES | 低-失调: | NO |
微功率: | YES | 湿度敏感等级: | 1 |
负供电电压上限: | 标称负供电电压 (Vsup): | ||
功能数量: | 2 | 端子数量: | 8 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP8,.25 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 包装方法: | TAPE AND REEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 5/15 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.75 mm |
最小摆率: | 0.05 V/us | 标称压摆率: | 0.11 V/us |
子类别: | Operational Amplifier | 最大压摆率: | 0.14 mA |
供电电压上限: | 16 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
标称均一增益带宽: | 350 kHz | 最小电压增益: | 60000 |
宽度: | 3.9 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
LPC662AIN | NSC |
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Low Power CMOS Dual Operational Amplifier | |
LPC662AMD | NSC |
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Low Power CMOS Dual Operational Amplifier | |
LPC662AMJ/883 | NSC |
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Low Power CMOS Dual Operational Amplifier | |
LPC662IM | NSC |
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Low Power CMOS Dual Operational Amplifier | |
LPC662IM/NOPB | NSC |
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IC DUAL OP-AMP, 6000 uV OFFSET-MAX, 0.35 MHz BAND WIDTH, PDSO8, ROHS COMPLIANT, SOP-8, Ope | |
LPC662IM/NOPB | TI |
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双路、15V、350kHz 运算放大器 | D | 8 | -40 to 85 | |
LPC662IMDC | NSC |
获取价格 |
IC DUAL OP-AMP, 6000 uV OFFSET-MAX, 0.35 MHz BAND WIDTH, UUC, WAFER, Operational Amplifier | |
LPC662IMWC | TI |
获取价格 |
DUAL OP-AMP, 6000 uV OFFSET-MAX, 0.35 MHz BAND WIDTH, UUC | |
LPC662IMX | ETC |
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Voltage-Feedback Operational Amplifier | |
LPC662IMX/NOPB | NSC |
获取价格 |
IC DUAL OP-AMP, 6000 uV OFFSET-MAX, 0.35 MHz BAND WIDTH, PDSO8, ROHS COMPLIANT, SOIC-8, Op |