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LPC661IM/NOPB

更新时间： 2024-11-26 20:51:11
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 放大器光电二极管
页数 文件大小 规格书
15页 318K
描述
IC OP-AMP, 6000 uV OFFSET-MAX, 0.35 MHz BAND WIDTH, PDSO8, PLASTIC, SOP-8, Operational Amplifier

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LPC661IM/NOPB 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP8,.25
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.33.00.01
风险等级：5.15放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：VOLTAGE-FEEDBACK最小共模抑制比：63 dB
标称共模抑制比：83 dB频率补偿：YES
最大输入失调电压：6000 µVJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：4.9 mm
低-偏置：YES低-失调：NO
微功率：YES湿度敏感等级：1
负供电电压上限：标称负供电电压 (Vsup)：
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE包装方法：RAIL
峰值回流温度（摄氏度）：260功率：NO
电源：5/15 V可编程功率：NO
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
最小摆率：0.05 V/us标称压摆率：0.11 V/us
子类别：Operational Amplifiers最大压摆率：0.105 mA
供电电压上限：16 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
标称均一增益带宽：350 kHz最小电压增益：50000
宽带：NO宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

LPC661IM/NOPB 数据手册

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August 2000  
LPC661  
Low Power CMOS Operational Amplifier  
n Low supply current 55 µA  
n Specified for 100 kΩ and 5 kΩ loads  
n High voltage gain 120 dB  
n Low input offset voltage 3 mV  
n Low offset voltage drift 1.3 µV/˚C  
n Ultra low input bias current 2 fA  
n Input common-mode range includes GND  
n Operating range from +5V to +15V  
n Low distortion 0.01% at 1 kHz  
n Slew rate 0.11 V/µs  
General Description  
The LPC661 CMOS operational amplifier is ideal for opera-  
tion from a single supply. It features a wide range of operat-  
ing supply voltage from +5V to +15V, rail-to-rail output swing  
and an input common-mode range that includes ground.  
Performance limitations that have plagued CMOS amplifiers  
in the past are not a problem with this design. Input VOS  
,
drift, and broadband noise as well as voltage gain (into 100  
kΩ and 5 kΩ) are all equal to or better than widely accepted  
bipolar equivalents, while the supply current requirement is  
typically 55 µA.  
This chip is built with National’s advanced Double-Poly  
Silicon-Gate CMOS process.  
Applications  
n High-impedance buffer  
n Precision current-to-voltage converter  
n Long-term integrator  
n High-impedance preamplifier  
n Active filter  
See the LPC660 datasheet for a Quad CMOS operational  
amplifier or the LPC662 data sheet for a Dual CMOS opera-  
tional amplifier with these same features.  
Features  
(Typical unless otherwise noted)  
n Rail-to-rail output swing  
n Sample-and-Hold circuit  
n Peak detector  
Application Circuits  
10 Hz Bandpass Filter  
1 Hz Low-Pass Filter  
(Maximally Flat, Dual Supply Only)  
DS011227-21  
DS011227-23  
f
= 10 Hz  
O
Q = 2.1  
Gain = 18.9 dB  
© 2000 National Semiconductor Corporation  
DS011227  
www.national.com  
1234567...15

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LPC661IM/NOPB 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
LMC6482AIM/NOPB TI

功能相似

 Ultra-low Bias Current, Precision CMOS Rail-to-Rail Input and Output Dual Operational Ampl
MCP6022-I/SN MICROCHIP

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功能相似

 Rail-to-Rail Input/Output, 10 MHz Op Amps

与LPC661IM/NOPB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
LPC661IMX TI

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 		OP-AMP, 6300uV OFFSET-MAX, 0.35MHz BAND WIDTH, PDSO8, PLASTIC, SOP-8
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 		IC OP-AMP, 6000 uV OFFSET-MAX, 0.35 MHz BAND WIDTH, PDSO8, PLASTIC, SOIC-8, Operational Am
LPC661IMX/NOPB TI

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 		Low Power CMOS Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85
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 		Low Power CMOS Operational Amplifier
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 		Low Power CMOS Dual Operational Amplifier
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 		双路、15V、350kHz 运算放大器 | D | 8 | -40 to 85
LPC662AIM NSC

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 		Low Power CMOS Dual Operational Amplifier

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