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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LP-820F | API |
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General Purpose Inductor, 0.082uH, 1%, 1 Element, Non-magnetic-Core, SMD |
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| LP-820G | API |
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General Purpose Inductor, 0.082uH, 2%, 1 Element, Non-magnetic-Core, SMD |
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| LP-820H | API |
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General Purpose Inductor, 0.082uH, 3%, 1 Element, Non-magnetic-Core, SMD |
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| LP-820J | API |
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General Purpose Inductor, 0.082uH, 5%, 1 Element, Non-magnetic-Core, SMD |
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| LP-820K | API |
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General Purpose Inductor, 0.082uH, 10%, 1 Element, Non-magnetic-Core, SMD, 1111, |
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| LP-820M | API |
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General Purpose Inductor, 0.082uH, 20%, 1 Element, Non-magnetic-Core, SMD |
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| LP821 | POLYFET |
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SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
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| LP82188 | INTEL |
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Bus Controller, MOS, PDIP28 |
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| LP821M063A1P3 | CDE |
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105 ⅹC Snap-In Aluminum Electrolytic Capacito |
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| LP821M100E1P3 | CDE |
获取价格 |
105 ⅹC Snap-In Aluminum Electrolytic Capacito |
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