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LP6836

更新时间： 2024-09-16 22:46:59
品牌 Logo 应用领域
FILTRONIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 38K
描述
MEDIUM POWER PHEMT

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LP6836 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIE
包装说明：UNCASED CHIP, R-XUUC-N3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.40风险等级：5.75
Is Samacsys：N配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：10 VFET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带：KU BANDJESD-30 代码：R-XUUC-N3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：UNCASED CHIP
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPER晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

LP6836 数据手册

 浏览型号LP6836的Datasheet PDF文件第2页 
LP 6 8 3 6  
MEDIUM POWER P HEMT  
DRAIN  
BOND  
PAD  
·
FEATURES  
¨
25 dBm Output Power at 1-dB  
SOURCE  
BOND  
Compression at 18 GHz  
¨
¨
9.5 dB Power Gain at 18 GHz  
55% Power-Added Efficiency  
PAD (2x)  
GATE  
BOND  
PAD  
DIE SIZE: 14.2X13.0 mils (360x330 mm)  
DIE THICKNESS: 3.9 mils (100 mm)  
BONDING PADS: 1.9X1.9 mils (50x50 mm)  
·
DES CRIP TION AND AP P LICATIONS  
The LP6836 is an Aluminum Gallium Arsenide / Indium Gallium Arsenide (AlGaAs/InGaAs)  
Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (PHEMT), utilizing an Electron-Beam direct-  
write 0.25 mm by 360 mm Schottky barrier gate. The recessed “mushroom” gate structure minimizes  
parasitic gate-source and gate resistances. The epitaxial structure and processing have been  
optimized for high dynamic range. The LP6836 also features Si3N4 passivation and is available in  
P70 and SOT343 package types.  
Typical applications include high dynamic range driver stages for commercial applications including  
wireless infrastructure systems and broad bandwidth amplifiers.  
·
ELECTRICAL S P ECIFICATIONS @ TAm b ie n t = 2 5 °C  
Parameter  
Symbol  
IDSS  
Test Conditions  
VDS = 2 V; VGS = 0 V  
VDS = 8 V; IDS = 50% IDSS  
VDS = 8 V; IDS = 50% IDSS  
VDS = 8 V; IDS = 50% IDSS  
VDS = 2 V; VGS = 1 V  
VDS = 2 V; VGS = 0 V  
VGS = -5 V  
Min  
80  
Typ  
115  
25  
Max  
Units  
mA  
dBm  
dB  
Saturated Drain-Source Current  
Power at 1-dB Compression  
Power Gain at 1-dB Compression  
Power-Added Efficiency  
Maximum Drain-Source Current  
Transconductance  
125  
P-1dB  
G-1dB  
PAE  
IMAX  
GM  
24  
8.5  
9.5  
55  
%
190  
100  
1
mA  
mS  
mA  
V
75  
Gate-Source Leakage Current  
Pinch-Off Voltage  
IGSO  
10  
VP  
VDS = 2 V; IDS = 2 mA  
IGS = 2 mA  
-0.25  
-11  
-1.2  
-15  
-2.0  
Gate-Source Breakdown  
Voltage Magnitude  
|VBDGS  
|
V
Gate-Drain Breakdown  
Voltage Magnitude  
|VBDGD  
|
IGD = 2 mA  
-12  
-16  
V
Thermal Resistivity  
frequency=18 GHz  
100  
QJC  
°C/W  
P h o n e : (408) 988-1845  
Fa x: (408) 970-9950  
h ttp :// www.filss.com  
Re vis e d : 1/18/01  
Em a il: sales@filss.com  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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