LN52

更新时间： 2024-10-18 22:46:59

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松下 - PANASONIC		红外LED 光电二极管
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3页	47K
描述
GaAs Infrared Light Emitting Diode

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LN52 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.40.20.00	风险等级：	5.89
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最大正向电流：	0.1 A	JESD-609代码：	e0
功能数量：	1	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	光电设备类型：	INFRARED LED
标称输出功率：	6 mW	峰值波长：	950 nm
形状：	ROUND	尺寸：	4.2 mm
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

LN52 数据手册

Infrared Light Emitting Diodes

LN52

GaAs Infrared Light Emitting Diode

Unit : mm

For optical control systems

Features

High-power output, high-efficiency : P_O= 6 mW (typ.)

2-ø0.45±0.05

Wide directivity, matched for external optical systems : θ = 100 deg.

Infrared light emission close to monochromatic light : λ_P= 950 nm

1.0

+0.15

–0.1

Optimum for mesuring instruments and control equipments

in conbination with silicon photodetectors

0.1

1.0

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)

2.54±0.25

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

1: Cathode

2: Anode

Power dissipation

P_D

160

Forward current (DC)

Pulse forward current

Reverse voltage (DC)

Operating ambient temperature

Storage temperature

I_F

100

I_FP

V_R

T_opr

T_stg

–25 to +85

–30 to +100

˚C

f = 100 Hz, Duty cycle = 0.1 %

Electro-Optical Characteristics (Ta = 25˚C)

Parameter

Radiant power

Symbol

Conditions

min

typ

max

Unit

P_O

λ_P

∆λ

V_F

I_R

C_t

t_r

I_F= 100mA

3.5

Peak emission wavelength

Spectral half band width

Forward voltage (DC)

Reverse current (DC)

Capacitance between pins

Rise time

I_F= 100mA

V_R= 3V

950

1.25

1.6

µA

V_R= 0V, f = 1MHz

µs

I_FP= 100mA

Fall time

t_f

µs

Half-power angle

The angle in which radiant intencity is 50%

100

deg.

12 3

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