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LN51L

更新时间： 2024-10-18 22:46:59

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松下 - PANASONIC		二极管
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2页	48K
描述
GaAs Infrared Light Emitting Diodes

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LN51L 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TO-18, 2 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.40.20.00
风险等级：	5.89	配置：	SINGLE
最大正向电流：	0.1 A	JESD-609代码：	e0
功能数量：	1	最高工作温度：	100 °C
最低工作温度：	-25 °C	光电设备类型：	INFRARED LED
标称输出功率：	6 mW	峰值波长：	950 nm
形状：	ROUND	尺寸：	4.6 mm
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

LN51L 数据手册

Infrared Light Emitting Diodes

Unit : mm

LN51F

LN51F, LN51L

ø4.6±0.15

Glass window

GaAs Infrared Light Emitting Diodes

For optical control systems

2-ø0.45±0.05

2.54±0.25

Features

High-power output, high-efficiency : P_O= 6 mW (typ.)

Fast response : t_r, t_f= 1 µs (typ.)

1.0

0.2

Infrared light emission close to monochromatic light :

λ_P=950 nm (typ.)

0.15

3˚

1.0

Narrow directivity, suitable for effective use of optical output :

θ = 8 deg. (LN51L)

Wide directivity, matched for external optical systems :

θ = 32 deg. (LN51F)

1: Cathode

2: Anode

ø5.75 max.

TO-18 standard type package

Unit : mm

LN51L

ø4.6±0.15

Glass lens

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

Power dissipation

P_D

150

Forward current (DC)

Pulse forward current

Reverse voltage (DC)

Operating ambient temperature

Storage temperature

I_F

100

2-ø0.45±0.05

2.54±0.25

I_FP

V_R

T_opr

T_stg

–25 to +100

–30 to +100

˚C

1.0

˚C

0.2

f = 100 Hz, Duty cycle = 0.1 %

0.15

3˚

1.0

1: Cathode

2: Anode

ø5.75 max.

Electro-Optical Characteristics (Ta = 25˚C)

Parameter

Radiant power

Symbol

Conditions

min

typ

max

Unit

P_O

λ_P

∆λ

V_F

I_R

C_t

t_r

I_F= 100mA

Peak emission wavelength

Spectral half band width

Forward voltage (DC)

Reverse current (DC)

Capacitance between pins

Rise time

I_F= 100mA

V_R= 5V

950

1.25

1.5

0.005

µA

V_R= 0V, f = 1MHz

µs

I_FP= 100mA

Fall time

t_f

µs

LN51F

LN51L

deg.

Half-power angle

The angle in which radiant intencity is 50%

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