5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-70 |
| 包装说明： | SC-70, 5 PIN | 针数： | 5 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.33.00.01 | 风险等级： | 0.72 |
| 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER | 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.105 µA | 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 0.095 µA |
| 最小共模抑制比： | 94 dB | 标称共模抑制比： | 120 dB |
| 频率补偿： | YES | 最大输入失调电流 (IIO)： | 0.005 µA |
| 最大输入失调电压： | 500 µV | JESD-30 代码： | R-PDSO-G5 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 2 mm |
| 低-偏置： | NO | 低-失调： | YES |
| 微功率： | YES | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSSOP |
| 封装等效代码： | TSSOP5/6,.08 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 包装方法： | TR |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 功率： | NO |
| 电源： | +-1.35/+-6/2.7/12 V | 可编程功率： | NO |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.1 mm |
| 标称压摆率： | 1.6 V/us | 子类别： | Operational Amplifier |
| 最大压摆率： | 0.19 mA | 供电电压上限： | 13.2 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 10 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 标称均一增益带宽： | 10000 kHz |
| 最小电压增益： | 7940 | 宽带： | NO |
| 宽度： | 1.25 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LMV641MGE/NOPB | TI |
获取价格 |
10MHz、12V 低功率放大器 | DCK | 5 | -40 to 125 |
|
| LMV641MGX | NSC |
获取价格 |
10 MHz, 12V, Low Power Amplifier |
|
| LMV641MGX/NOPB | TI |
获取价格 |
10MHz、12V 低功率放大器 | DCK | 5 | -40 to 125 |
|
| LMV651 | NSC |
获取价格 |
12MHz, Low Voltage, Low Power Amplifier |
|
| LMV651 | TI |
获取价格 |
单路、5.5V、12MHz 运算放大器 |
|
| LMV651_07 | NSC |
获取价格 |
12 MHz, Low Voltage, Low Power Amplifier |
|
| LMV651_08 | NSC |
获取价格 |
12 MHz, Low Voltage, Low Power Amplifiers |
|
| LMV651MF | NSC |
获取价格 |
12 MHz, Low Voltage, Low Power Amplifiers |
|
| LMV651MF/NOPB | TI |
获取价格 |
Single, 5.5-V, 12-MHz operational amplifier | DBV | 5 |
|
| LMV651MFX | NSC |
获取价格 |
12 MHz, Low Voltage, Low Power Amplifiers |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
