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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | SOIC-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.33.00.01 |
| 风险等级： | 5.24 | Is Samacsys： | N |
| 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER | 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.11 µA | 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 0.095 µA |
| 标称共模抑制比： | 114 dB | 频率补偿： | YES |
| 最大输入失调电压： | 750 µV | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 4.902 mm |
| 低-偏置： | NO | 低-失调： | YES |
| 微功率： | YES | 湿度敏感等级： | 1 |
| 负供电电压上限： | 标称负供电电压 (Vsup)： | ||
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | TSSOP5/6,.08 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 包装方法： | RAIL |
| 功率： | NO | 电源： | +-1.35/+-6/2.7/12 V |
| 可编程功率： | NO | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.753 mm | 标称压摆率： | 2.3 V/us |
| 子类别： | Operational Amplifier | 最大压摆率： | 0.22 mA |
| 供电电压上限： | 6.6 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | BIPOLAR |
| 温度等级： | AUTOMOTIVE | 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 标称均一增益带宽： | 10000 kHz |
| 最小电压增益： | 7940 | 宽带： | NO |
| 宽度： | 3.899 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LMV641MA/NOPB | TI |
获取价格 |
10MHz、12V 低功率放大器 | D | 8 | -40 to 125 |
|
| LMV641MAE | NSC |
获取价格 |
10 MHz, 12V, Low Power Amplifier |
|
| LMV641MAE/NOPB | TI |
获取价格 |
10MHz、12V 低功率放大器 | D | 8 | -40 to 125 |
|
| LMV641MAX | NSC |
获取价格 |
10 MHz, 12V, Low Power Amplifier |
|
| LMV641MAX/NOPB | TI |
获取价格 |
10MHz、12V 低功率放大器 | D | 8 | -40 to 125 |
|
| LMV641MF/NOPB | TI |
获取价格 |
10MHz、12V 低功率放大器 | DBV | 5 |
|
| LMV641MFE/NOPB | TI |
获取价格 |
10MHz、12V 低功率放大器 | DBV | 5 |
|
| LMV641MFX/NOPB | TI |
获取价格 |
10MHz、12V 低功率放大器 | DBV | 5 |
|
| LMV641MG | NSC |
获取价格 |
10 MHz, 12V, Low Power Amplifier |
|
| LMV641MG/NOPB | TI |
获取价格 |
10MHz、12V 低功率放大器 | DCK | 5 | -40 to 125 |
|
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