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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | CERAMIC, SOIC-10 |
| 针数： | 10 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.33.00.01 |
| 风险等级： | 5.16 | 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK | 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.000003 µA |
| 标称共模抑制比： | 130 dB | 频率补偿： | YES |
| 最大输入失调电压： | 60 µV | JESD-30 代码： | R-CDSO-G10 |
| JESD-609代码： | e0 | 低-偏置： | YES |
| 低-失调： | YES | 微功率： | NO |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 2 |
| 端子数量： | 10 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP10,.4 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 功率： | NO |
| 电源： | 2.7/5 V | 可编程功率： | NO |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | 38535V;38534K;883S |
| 座面最大高度： | 2.042 mm | 标称压摆率： | 4 V/us |
| 子类别： | Operational Amplifiers | 最大压摆率： | 3.5 mA |
| 供电电压上限： | 5.8 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn63Pb37) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 标称均一增益带宽： | 3000 kHz | 最小电压增益： | 17780 |
| 宽带： | NO | 宽度： | 6.12 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| LMP2012MAX/NOPB | TI | 双路、高精度、轨到轨输出运算放大器 | D | 8 | -40 to 125 |
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| LMP2012MDE | TI | IC,OP-AMP,DUAL,CMOS, RAD HARD,DIE |
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| LMP2012MDR | TI | Operational Amplifier |
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| LMP2012MM | NSC | High Precision, Rail-to-Rail Output Operational Amplifier |
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| LMP2012MM | TI | Dual High Precision, Rail-to-Rail Output Operational Amplifier |
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| LMP2012MM/NOPB | NSC | IC DUAL OP-AMP, 60 uV OFFSET-MAX, 3 MHz BAND WIDTH, PDSO8, ROHS COMPLIANT, MSOP-8, Operati |
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