是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | TO-263, SMSIP7H,.55,50TB | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.33.00.01 | 风险等级: | 0.87 |
放大器类型: | BUFFER | 最大平均偏置电流 (IIB): | 17 µA |
标称带宽 (3dB): | 110 MHz | 25C 时的最大偏置电流 (IIB): | 17 µA |
最大输入失调电压: | 52000 µV | JESD-30 代码: | R-PSSO-G7 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 10.16 mm |
湿度敏感等级: | 3 | 负供电电压上限: | -18 V |
标称负供电电压 (Vsup): | -15 V | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 7 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 最小输出电流: | 0.3 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TO-263 |
封装等效代码: | SMSIP7H,.55,50TB | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 包装方法: | TR |
峰值回流温度(摄氏度): | 245 | 电源: | +-5/+-15 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.79 mm |
标称压摆率: | 2900 V/us | 子类别: | Buffer Amplifier |
最大压摆率: | 14.5 mA | 供电电压上限: | 18 V |
标称供电电压 (Vsup): | 15 V | 表面贴装: | YES |
温度等级: | AUTOMOTIVE | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 8.64 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
LMH6321TS/NOPB | TI |
功能相似 |
具有可调节电流限制的 300mA 高速缓冲器 | KTW | 7 | -40 to 125 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
LMH6401 | TI |
获取价格 |
4.5GHz 超宽带数字可变增益放大器 | |
LMH6401IRMZR | TI |
获取价格 |
4.5GHz 超宽带数字可变增益放大器 | RMZ | 16 | -40 to 85 | |
LMH6401IRMZT | TI |
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4.5GHz 超宽带数字可变增益放大器 | RMZ | 16 | -40 to 85 | |
LMH6502 | NSC |
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Wideband, Low Power, Linear-in-dB Variable Gain Amplifier | |
LMH6502 | TI |
获取价格 |
宽带、低功耗、dB 线性可变增益放大器 | |
LMH6502_15 | TI |
获取价格 |
LMH6502 Wideband, Low Power, Linear-in-dB Variable Gain Amplifier | |
LMH6502MA | NSC |
获取价格 |
Wideband, Low Power, Linear-in-dB Variable Gain Amplifier | |
LMH6502MA | TI |
获取价格 |
LMH6502 Wideband, Low Power, Linear-in-dB Variable Gain Amplifier | |
LMH6502MA/NOPB | TI |
获取价格 |
LMH6502 Wideband, Low Power, Linear-in-dB Variable Gain Amplifier | |
LMH6502MAX | NSC |
获取价格 |
Wideband, Low Power, Linear-in-dB Variable Gain Amplifier |