是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | TO-263, SMSIP7H,.55,50TB | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.33.00.01 | Factory Lead Time: | 1 week |
风险等级: | 0.86 | 放大器类型: | BUFFER |
最大平均偏置电流 (IIB): | 17 µA | 标称带宽 (3dB): | 110 MHz |
25C 时的最大偏置电流 (IIB): | 17 µA | 最大输入失调电压: | 52000 µV |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G7 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 10.16 mm | 湿度敏感等级: | 3 |
负供电电压上限: | -18 V | 标称负供电电压 (Vsup): | -15 V |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 7 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
最小输出电流: | 0.3 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TO-263 | 封装等效代码: | SMSIP7H,.55,50TB |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
包装方法: | TUBE | 峰值回流温度(摄氏度): | 245 |
电源: | +-5/+-15 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.79 mm | 标称压摆率: | 2900 V/us |
子类别: | Buffer Amplifier | 最大压摆率: | 14.5 mA |
供电电压上限: | 18 V | 标称供电电压 (Vsup): | 15 V |
表面贴装: | YES | 温度等级: | AUTOMOTIVE |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 8.64 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
LMH6321TSX/NOPB | TI |
功能相似 |
具有可调节电流限制的 300mA 高速缓冲器 | KTW | 7 | -40 to 125 | |
LMH6321TS | NSC |
功能相似 |
VP Quality |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
LMH6321TSX | NSC |
获取价格 |
300 mA High Speed Buffer with Adjustable Current Limit | |
LMH6321TSX/NOPB | TI |
获取价格 |
具有可调节电流限制的 300mA 高速缓冲器 | KTW | 7 | -40 to 125 | |
LMH6401 | TI |
获取价格 |
4.5GHz 超宽带数字可变增益放大器 | |
LMH6401IRMZR | TI |
获取价格 |
4.5GHz 超宽带数字可变增益放大器 | RMZ | 16 | -40 to 85 | |
LMH6401IRMZT | TI |
获取价格 |
4.5GHz 超宽带数字可变增益放大器 | RMZ | 16 | -40 to 85 | |
LMH6502 | NSC |
获取价格 |
Wideband, Low Power, Linear-in-dB Variable Gain Amplifier | |
LMH6502 | TI |
获取价格 |
宽带、低功耗、dB 线性可变增益放大器 | |
LMH6502_15 | TI |
获取价格 |
LMH6502 Wideband, Low Power, Linear-in-dB Variable Gain Amplifier | |
LMH6502MA | NSC |
获取价格 |
Wideband, Low Power, Linear-in-dB Variable Gain Amplifier | |
LMH6502MA | TI |
获取价格 |
LMH6502 Wideband, Low Power, Linear-in-dB Variable Gain Amplifier |