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LMC669CD

更新时间: 2024-11-22 22:47:03
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC /
页数 文件大小 规格书
14页 469K
描述
AUTO-ZERO

LMC669CD 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8542.39.00.01风险等级:5.89
模拟集成电路 - 其他类型:ANALOG CIRCUITJESD-30 代码:R-CDIP-T16
JESD-609代码:e0负电源电压最大值(Vsup):-20 V
负电源电压最小值(Vsup):-15 V标称负供电电压 (Vsup):-8 V
端子数量:16最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP16,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:+-15 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.572 mm
子类别:Other Analog ICs最大供电电流 (Isup):10 mA
最大供电电压 (Vsup):20 V最小供电电压 (Vsup):8 V
标称供电电压 (Vsup):15 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

LMC669CD 数据手册

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