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LMC669CCN

更新时间: 2024-11-22 22:47:03
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC /
页数 文件大小 规格书
14页 469K
描述
AUTO-ZERO

LMC669CCN 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP20,.3Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8542.39.00.01风险等级:5.87
模拟集成电路 - 其他类型:ANALOG CIRCUITJESD-30 代码:R-PDIP-T20
JESD-609代码:e0长度:26.075 mm
负电源电压最大值(Vsup):-20 V负电源电压最小值(Vsup):-15 V
标称负供电电压 (Vsup):-8 V端子数量:20
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP20,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:+-15 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm子类别:Other Analog ICs
最大供电电流 (Isup):10 mA最大供电电压 (Vsup):20 V
最小供电电压 (Vsup):8 V标称供电电压 (Vsup):15 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mm

LMC669CCN 数据手册

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