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LMC660AIMEP

更新时间： 2024-11-04 04:20:03
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 运算放大器放大器电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
15页 891K
描述
CMOS Quad Operational Amplifier

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LMC660AIMEP 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOIC包装说明：PLASTIC, SOP-14
针数：14Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.33.00.01
风险等级：5.06Is Samacsys：N
放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER架构：VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)：0.000004 µA标称共模抑制比：83 dB
频率补偿：YES最大输入失调电压：3300 µV
JESD-30 代码：R-PDSO-G14JESD-609代码：e0
长度：8.64 mm低-偏置：YES
低-失调：NO微功率：YES
湿度敏感等级：1功能数量：4
端子数量：14最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP14,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：235电源：5/15 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.7526 mm
最小摆率：0.6 V/us标称压摆率：1.1 V/us
子类别：Operational Amplifier最大压摆率：2.6 mA
供电电压上限：16 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
标称均一增益带宽：1400 kHz最小电压增益：60000
宽度：3.91 mmBase Number Matches：1

LMC660AIMEP 数据手册

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December 2004  
LMC660EP  
CMOS Quad Operational Amplifier  
General Description  
Features  
n Rail-to-rail output swing  
The LMC660EP CMOS Quad operational amplifier is ideal  
for operation from a single supply. It operates from +5V to  
+15V and features rail-to-rail output swing in addition to an  
input common-mode range that includes ground. Perfor-  
mance limitations that have plagued CMOS amplifiers in the  
past are not a problem with this design. Input VOS, drift, and  
broadband noise as well as voltage gain into realistic loads  
(2 kΩ and 600Ω) are all equal to or better than widely  
accepted bipolar equivalents.  
n Specified for 2 kΩ and 600Ω loads  
n High voltage gain: 126 dB  
n Low input offset voltage: 3 mV  
n Low offset voltage drift: 1.3 µV/˚C  
n Ultra low input bias current: 2 fA  
n Input common-mode range includes V−  
n Operating range from +5V to +15V supply  
n ISS = 375 µA/amplifier; independent of V+  
n Low distortion: 0.01% at 10 kHz  
n Slew rate: 1.1 V/µs  
This chip is built with National’s advanced Double-Poly  
Silicon-Gate CMOS process.  
See the LMC662 datasheet for a dual CMOS operational  
amplifier with these same features.  
Applications  
ENHANCED PLASTIC  
n High-impedance buffer or preamplifier  
n Precision current-to-voltage converter  
n Long-term integrator  
•
•
•
•
•
•
Extended Temperature Performance of −40˚C to +85˚C  
Baseline Control - Single Fab & Assembly Site  
Process Change Notification (PCN)  
n Sample-and-Hold circuit  
n Selected Military Applications  
n Selected Avionics Applications  
Qualification & Reliability Data  
Solder (PbSn) Lead Finish is standard  
Enhanced Diminishing Manufacturing Sources (DMS)  
Support  
Ordering Information  
PART NUMBER  
LMC660AIMEP  
(Notes 1, 2)  
VID PART NUMBER  
V62/04749-01  
TBD  
NS PACKAGE NUMBER (Note 3)  
M14A  
TBD  
Note 1: For the following (Enhanced Plastic) version, check for availability: LMC660AIMXEP, LMC660AINEP. Parts listed with an "X" are provided in  
Tape & Reel and parts without an "X" are in Rails.  
Note 2: FOR ADDITIONAL ORDERING AND PRODUCT INFORMATION, PLEASE VISIT THE ENHANCED PLASTIC WEB SITE AT: www.national.com/  
mil  
Note 3: Refer to package details under Physical Dimensions  
© 2004 National Semiconductor Corporation  
DS201145  
www.national.com  
1234567...15

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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