是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP-8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.33.00.01 |
风险等级: | 5.07 | Is Samacsys: | N |
放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER | 架构: | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB): | 0.0001 µA | 25C 时的最大偏置电流 (IIB): | 0.0001 µA |
最小共模抑制比: | 70 dB | 标称共模抑制比: | 85 dB |
频率补偿: | YES | 最大输入失调电压: | 1200 µV |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T8 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 9.817 mm | 低-偏置: | YES |
低-失调: | NO | 微功率: | YES |
负供电电压上限: | 标称负供电电压 (Vsup): | ||
功能数量: | 2 | 端子数量: | 8 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP8,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5/15 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最小摆率: | 0.008 V/us |
标称压摆率: | 35000 V/us | 子类别: | Operational Amplifiers |
最大压摆率: | 0.07 mA | 供电电压上限: | 16 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 标称均一增益带宽: | 100 kHz |
最小电压增益: | 35000 | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
LMC6062I MDC | TI |
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精密 CMOS 双路微功耗运算放大器 | Y | 0 | -40 to 85 | |
LMC6062IM | NSC |
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Precision CMOS Dual Micropower Operational Amplifier | |
LMC6062IM | TI |
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LMC6062 Precision CMOS Dual Micropower Operational Amplifier | |
LMC6062IM/NOPB | TI |
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精密 CMOS 双路微功耗运算放大器 | D | 8 | -40 to 85 | |
LMC6062IMWC | NSC |
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IC DUAL OP-AMP, 800 uV OFFSET-MAX, 0.1 MHz BAND WIDTH, UUC, WAFER, Operational Amplifier | |
LMC6062IMX | TI |
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LMC6062 Precision CMOS Dual Micropower Operational Amplifier | |
LMC6062IMX/NOPB | TI |
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Precision CMOS Dual Micropower Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85 | |
LMC6062IN | NSC |
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Precision CMOS Dual Micropower Operational Amplifier | |
LMC6062IN | TI |
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LMC6062 Precision CMOS Dual Micropower Operational Amplifier | |
LMC6062IN/NOPB | TI |
获取价格 |
精密 CMOS 双路微功耗运算放大器 | P | 8 | -40 to 85 |