Datasheet > LMBTA14LT1G

LMBTA14LT1G

更新时间： 2024-10-28 12:26:39

品牌	Logo	应用领域
乐山 - LRC		晶体放大器晶体管达林顿晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	301K
描述
Darlington Amplifier Transistors RoHS requirements.

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

LMBTA14LT1G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.76	最大集电极电流 (IC)：	0.3 A
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	10000
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	标称过渡频率 (fT)：	125 MHz
Base Number Matches：	1

LMBTA14LT1G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

DarlingtonAmplifierTransistors

We declare that the material of product

compliance with RoHS requirements.

ORDERING INFORMATION

LMBTA13LT1G

LMBTA14LT1G

Device

Marking

Shipping

LMBTA13LT1G

LMBTA14LT1G

LMBTA13LT3G

LMBTA14LT3G

3000/Tape & Reel

10000/Tape & Reel

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

V _CES

V _CBO

V _EBO

I _C

Value

Unit

Vdc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

SOT–23

Vdc

COLLECTOR

Collector Current — Continuous

300

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

BASE

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)

T_A= 25°C

EMITTER

P _D

225

1.8

mW/°C

°C/W

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R _θJA

P _D

556

300

2.4

Alumina Substrate, (2) T_A= 25°C

Derate above 25°C

mW/°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R _θJA

417

°C/W

°C

T _J, T _stg

–55 to +150

DEVICE MARKING

LMBTA13LT1G = 1M; LMBTA14LT1G = 1N;

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I _C= 100 µAdc, V _BE= 0)

V _(BR)CEO

—

Vdc

nAdc

Collector Cutoff Current

I _CBO

100

( V _CB= 30Vdc, I _E= 0)

Emitter Cutoff Current

I _EBO

( V _EB= 10Vdc, I _C= 0)

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

Rev.O 1/6

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与LMBTA14LT1G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
LMBTA14LT3G	LRC	获取价格	Darlington Amplifier Transistors RoHS requirements.
LMBTA42LT1	LRC	获取价格	HighVoltageTransistors
LMBTA42LT1G	LRC	获取价格	HighVoltageTransistors
LMBTA42LT1G_11	LRC	获取价格	HighVoltageTransistors RoHS requirements.
LMBTA42LT3G	LRC	获取价格	HighVoltageTransistors RoHS requirements.
LMBTA43LT1	LRC	获取价格	HighVoltageTransistors
LMBTA43LT1G	LRC	获取价格	HighVoltageTransistors
LMBTA43LT3G	LRC	获取价格	HighVoltageTransistors RoHS requirements.
LMBTA44LT1G	LRC	获取价格	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR High Breakdown Voltage: VCEO=400
LMBTA55LT1G	LEIDITECH	获取价格	Driver Transistors PNP Silicon