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LMBTA14LT1

更新时间： 2024-10-28 11:37:03

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乐山 - LRC		晶体放大器晶体管达林顿晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	219K
描述
Darlington Amplifier Transistors

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LMBTA14LT1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.88	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.3 A	配置：	2 BANKS, DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	10000	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	125 MHz	Base Number Matches：	1

LMBTA14LT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

DarlingtonAmplifierTransistors

COLLECTOR

LMBTA13LT1

LMBTA14LT1

BASE

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

V _CES

V _CBO

V _EBO

I _C

Value

Unit

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

Vdc

SOT–23

Vdc

300

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)

T_A= 25°C

P _D

225

1.8

mW/°C

°C/W

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R _θJA

P _D

556

300

2.4

Alumina Substrate, (2) T_A= 25°C

Derate above 25°C

mW/°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R _θJA

417

°C/W

°C

T _J, T _stg

–55 to +150

DEVICE MARKING

LMBTA13LT1 = 1M; LMBTA14LT1 = 1N

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I _C= 100 µAdc, V _BE= 0)

V _(BR)CEO

—

Vdc

nAdc

Collector Cutoff Current

I _CBO

100

( V _CB= 30Vdc, I _E= 0)

Emitter Cutoff Current

I _EBO

( V _EB= 10Vdc, I _C= 0)

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

LMBTA13–1/6

12 3 4 5 6

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