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LMBTA06LT1

更新时间： 2024-10-28 11:37:03

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乐山 - LRC		晶体晶体管驱动
页数	文件大小	规格书
3页	109K
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Driver Transistors

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LMBTA06LT1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.88	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

LMBTA06LT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

Driver Transistors

LMBTA05LT1

LMBTA06LT1

FEATURES

• Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a

Pb−Free Lead Finish

MAXIMUM RATINGS

Value

Rating

Symbol

V _CEO

V _CBO

V _EBO

I _C

LMBTA05 LMBTA06

Unit

Vdc

SOT–23

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

Vdc

4.0

Vdc

500

mAdc

COLLECTOR

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

BASE

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)

T_A= 25°C

P _D

225

1.8

EMITTER

mW/°C

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R _θJA

P _D

556

°C/W

300

2.4

Alumina Substrate, (2) T_A= 25°C

Derate above 25°C

mW/°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R _θJA

417

°C/W

T _J, T _stg

–55 to +150

°C

DEVICE MARKING

LMBTA05LT1 = 1H, LMBTA06LT1 = 1GM

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage(3)

V _(BR)CEO

Vdc

(I _C= 1.0 mAdc, I _B= 0)

LMBTA05

4.0

—

LMBTA06

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I _E= 100 µAdc, I _C= 0)

V _(BR)EBO

I _CES

Vdc

µAdc

Collector Cutoff Current

( V _CE= 60Vdc, I _B= 0)

—

0.1

Emitter Cutoff Current

I _CBO

( V _CB= 60Vdc, I _E= 0)

LMBTA05

LMBTA06

—

0.1

( V _CB= 80Vdc, I _E= 0)

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

3. Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle

< 2.0%.

LMBTA05/06–1/3

12 3

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