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LMBT5087LT3G

更新时间： 2024-11-09 12:26:39

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乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	163K
描述
Low Noise Transistor PNP Silicon RoHS requirements.

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LMBT5087LT3G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	250
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	标称过渡频率 (fT)：	40 MHz
Base Number Matches：	1

LMBT5087LT3G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

Low Noise Transistor

PNP Silicon

LMBT5087LT1G

•

We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.

ORDERING INFORMATION

Device

Shipping

Marking

LMBT5087LT1G

LMBT5087LT3G

3000/Tape & Reel

10000/Tape & Reel

SOT– 23 (TO–236AB)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

V _CEO

Value

– 50

Unit

Vdc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

COLLECTOR

V _CBO

– 50

Vdc

– 3.0

– 50

Vdc

EBO

BASE

I_C

mAdc

DEVICE MARKING

EMITTER

LMBT5087LT1G =2Q

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation RF-5 Board (1)

T _A=25 °C

P _D

225

Derate above 25°C

1.8

mW/°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R _θJA

P_D

556

300

°C/W

Alumina Substrate, (2) T _A= 25°C

Derate above 25°C

2.4

417

mW/°C

°C/W

°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R _θJA

T _J, T _stg

–55to+150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T _A= 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I _C= –1.0 mAdc, I _B= 0)

V _(BR)CEO

V _(BR)CBO

I _CBO

– 50

—

Vdc

Collector–Base Breakdown Voltage

(I _C= –100 µAdc, I _E= 0)

Collector Cutoff Current

n Adc

(V _CB= –10 Vdc, I _E= 0)

—

–10

–50

(V _CB= –35 Vdc, I _E= 0)

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

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