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LMBT5087LT1G

更新时间： 2024-11-06 11:37:03

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乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	143K
描述
Low Noise Transistor

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LMBT5087LT1G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	250	最高工作温度：	150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
标称过渡频率 (fT)：	40 MHz

LMBT5087LT1G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

Low Noise Transistor

PNP Silicon

LMBT5087LT1

• Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a

Pb−Free Lead Finish

ORDERING INFORMATION

Device

Package

Shipping

LMBT5087LT1

SOT–23

3000/Tape & Reel

LMBT5087LT1G SOT–23

SOT– 23 (TO–236AB)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

V _CEO

Value

– 50

Unit

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

Vdc

COLLECTOR

V _CBO

– 50

Vdc

– 3.0

– 50

Vdc

EBO

BASE

I_C

mAdc

DEVICE MARKING

EMITTER

LMBT5087LT1=2Q

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation RF-5 Board (1)

T _A=25 °C

P _D

225

Derate above 25°C

1.8

mW/°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

R _θJA

P_D

556

300

°C/W

Total Device Dissipation

Alumina Substrate, (2) T _A= 25°C

Derate above 25°C

2.4

417

mW/°C

°C/W

°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R _θJA

T _J, T _stg

–55to+150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T _A= 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I _C= –1.0 mAdc, I _B= 0)

V _(BR)CEO

V _(BR)CBO

I _CBO

– 50

—

Vdc

Collector–Base Breakdown Voltage

(I _C= –100 µAdc, I _E= 0)

Collector Cutoff Current

n Adc

(V _CB= –10 Vdc, I _E= 0)

—

–10

–50

(V _CB= –35 Vdc, I _E= 0)

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

M17–1/6

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