Datasheet > LMBT5087LT1

LMBT5087LT1

更新时间： 2024-11-06 11:37:03

品牌	Logo	应用领域
乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	143K
描述
Low Noise Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

LMBT5087LT1 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	250
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	标称过渡频率 (fT)：	40 MHz
Base Number Matches：	1

LMBT5087LT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

Low Noise Transistor

PNP Silicon

LMBT5087LT1

• Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a

Pb−Free Lead Finish

ORDERING INFORMATION

Device

Package

Shipping

LMBT5087LT1

SOT–23

3000/Tape & Reel

LMBT5087LT1G SOT–23

SOT– 23 (TO–236AB)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

V _CEO

Value

– 50

Unit

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

Vdc

COLLECTOR

V _CBO

– 50

Vdc

– 3.0

– 50

Vdc

EBO

BASE

I_C

mAdc

DEVICE MARKING

EMITTER

LMBT5087LT1=2Q

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation RF-5 Board (1)

T _A=25 °C

P _D

225

Derate above 25°C

1.8

mW/°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

R _θJA

P_D

556

300

°C/W

Total Device Dissipation

Alumina Substrate, (2) T _A= 25°C

Derate above 25°C

2.4

417

mW/°C

°C/W

°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R _θJA

T _J, T _stg

–55to+150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T _A= 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I _C= –1.0 mAdc, I _B= 0)

V _(BR)CEO

V _(BR)CBO

I _CBO

– 50

—

Vdc

Collector–Base Breakdown Voltage

(I _C= –100 µAdc, I _E= 0)

Collector Cutoff Current

n Adc

(V _CB= –10 Vdc, I _E= 0)

—

–10

–50

(V _CB= –35 Vdc, I _E= 0)

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

M17–1/6

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与LMBT5087LT1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
LMBT5087LT1G	LRC	获取价格	Low Noise Transistor
LMBT5087LT1G_11	LRC	获取价格	Low Noise Transistor PNP Silicon RoHS requirements.
LMBT5087LT3G	LRC	获取价格	Low Noise Transistor PNP Silicon RoHS requirements.
LMBT5401DW1T1G	LRC	获取价格	DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
LMBT5401LT1	LRC	获取价格	High Voltage Transistor
LMBT5401LT1G	LRC	获取价格	High Voltage Transistor
LMBT5401LT1G_11	LRC	获取价格	High Voltage Transistor RoHS requirements.
LMBT5541DW1T1G	LRC	获取价格	DUAL SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
LMBT5541DW1T3G	LRC	获取价格	DUAL SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
LMBT5550LT1	LRC	获取价格	High Voltage Transistors