5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > LMBT4403LT1G
LMBT4403LT1G PDF预览

LMBT4403LT1G

更新时间： 2024-11-06 11:37:03
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 216K
描述
General Purpose Transistors (PNP SILICON)

阅读下载

中文翻译

获取价格

LMBT4403LT1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.6 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：20
最高工作温度：150 °C峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

LMBT4403LT1G 数据手册

 浏览型号LMBT4403LT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LMBT4403LT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号LMBT4403LT1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号LMBT4403LT1G的Datasheet PDF文件第5页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
GeneralPurposeTransistors  
PNP Silicon  
LMBT4403LT1  
• Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a  
Pb−Free Lead Finish  
3
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
1
LMBT4403LT1  
SOT–23  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
2
LMBT4403LT1G SOT–23  
SOT– 23 (TO–236AB)  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
– 40  
Unit  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current — Continuous  
V CEO  
V CBO  
V EBO  
I C  
Vdc  
Vdc  
– 40  
3
COLLECTOR  
– 5.0  
– 600  
Vdc  
mAdc  
1
BASE  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
2
EMITTER  
Total Device Dissipation FR –5 Board (1)  
T A =25 °C  
P D  
225  
mW  
Derate above 25°C  
1.8  
mW/°C  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
R θJA  
P D  
556  
300  
°C/W  
mW  
Total Device Dissipation  
Alumina Substrate (2) T A = 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R θJA  
T J , T stg  
–55 to +150  
DEVICE MARKING  
LMBT4403LT1 = 2T  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted)  
Characteristic Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage (3)  
(I C = –1.0 mAdc, I B = 0)  
V (BR)CEO  
V (BR)CBO  
V (BR)EBO  
I BEV  
Vdc  
Vdc  
– 40  
– 40  
– 5.0  
—
—
—
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I C = –0.1mAdc, I E = 0)  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I E = –0.1mAdc, I C = 0)  
Vdc  
—
Base Cutoff Current  
µAdc  
µAdc  
(V CE = –35 Vdc, V EB = –0.4 Vdc)  
Collector Cutoff Current  
– 0.1  
– 0.1  
I CEX  
(V CE = –35 Vdc, V EB = –0.4 Vdc)  
—
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
3. Pulse Test: Pulse Width  
<300 µs; Duty Cycle <2.0%.  
O15–1/5  
12345

中文翻译

下载PDF

与LMBT4403LT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
LMBT4403WT1G LRC

获取价格

 		General Purpose Transistors
LMBT4403WT1G_15 LRC

获取价格

 		General Purpose Transistors
LMBT4403WT3G LRC

获取价格

 		General Purpose Transistors
LMBT4413DW1T1G LRC

获取价格

 		DUAL SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
LMBT4413DW1T3G LRC

获取价格

 		DUAL SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
LMBT5087LT1 LRC

获取价格

 		Low Noise Transistor
LMBT5087LT1G LRC

获取价格

 		Low Noise Transistor
LMBT5087LT1G_11 LRC

获取价格

 		Low Noise Transistor PNP Silicon RoHS requirements.
LMBT5087LT3G LRC

获取价格

 		Low Noise Transistor PNP Silicon RoHS requirements.
LMBT5401DW1T1G LRC

获取价格

 		DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

与LMBT4403LT1G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证