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LMBT3906WT1G

更新时间： 2024-11-05 11:37:03

品牌	Logo	应用领域
乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	276K
描述
General Purpose Transistors

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LMBT3906WT1G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	30	最高工作温度：	150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

LMBT3906WT1G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

GeneralPurposeTransistors

NPN and PNP Silicon

NPN

LMBT3904WT1

These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed

in the SOT–323/SC–70 which is designed for low power surface mount applications.

PNP

LMBT3906WT1

ƽ Pb-Free Package is available.

GENERAL PURPOSE

AMPLIFIER TRANSISTORS

SURFACE MOUNT

DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION

Device

Marking

Package

Shipping

LMBT3904WT1

SOT-323/SC-70

3000/Tape&Reel

(Pb-Free)

LMBT3904WT1G

LMBT3906WT1

LMBT3906WT1G

SOT-323/SC-70

3000/Tape&Reel

(Pb-Free)

CASE 419–02, STYLE 3

SOT– 323 / SC–70

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

LMBT3904WT1

LMBT3906WT1

LMBT3904WT1

LMBT3906WT1

LMBT3904WT1

LMBT3906WT1

V _CEO

– 40

Vdc

COLLECTOR

V _CBO

V _EBO

I _C

Vdc

– 40

6.0

BASE

– 5.0

200

Collector Current — Continuous LMBT3904WT1

mAdc

EMITTER

LMBT3906WT1

– 200

LMBT3904WT1

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

COLLECTOR

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation (1)

T _A=25 °C

P _D

150

BASE

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R _θJA

833

°C/W

°C

T _J, T _stg

–55 to +150

EMITTER

LMBT3906WT1

LMBT3904/6WT1-1/11

12 3 4 5 6 7...11

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