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LMBT3906LT1G

更新时间： 2024-09-15 11:37:03

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乐山 - LRC		晶体晶体管光电二极管
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6页	141K
描述
General Purpose Transistors

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LMBT3906LT1G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	最大关闭时间（toff）：	300 ns
最大开启时间（吨）：	70 ns	Base Number Matches：	1

LMBT3906LT1G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

GeneralPurposeTransistors

PNP Silicon

LMBT3906LT1

• Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a

Pb−Free Lead Finish

ORDERING INFORMATION

Device

Package

Shipping

LMBT3906LT1

SOT–23

3000/Tape & Reel

SOT– 23 (TO–236AB)

LMBT3906LT1G SOT–23

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

– 40

Unit

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

V _CEO

V _CBO

V _EBO

I _C

Vdc

COLLECTOR

– 40

Vdc

– 5.0

– 200

Vdc

mAdc

BASE

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

EMITTER

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR– 5 Board(1)

T _A=25 °C

P _D

225

Derate above 25°C

1.8

mW/°C

Thermal Resistance Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R _θJA

P _D

556

300

°C/W

Alumina Substrate, (2) T _A= 25°C

Derate above 25°C

2.4

417

mW/°C

°C/W

°C

Thermal Resistance Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R _θJA

T _J, T _stg

–55 to +150

DEVICE MARKING

LMBT3906LT1 = 2A

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T _A= 25°C unless otherwise noted)

Characteristic Symbol

OFF CHARACTERISTICS

Min

Max

Unit

Collector–Emitter Breakdown Voltage (3)

(I _C= –1.0 mAdc, I _B= 0)

V _(BR)CEO

V _(BR)CBO

V _(BR)EBO

I _BL

Vdc

– 40

– 5.0

—

Collector–Base Breakdown Voltage

(I _C= –10 µAdc, I _E= 0)

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I _E= –10 µAdc, I _C= 0)

Vdc

—

Base Cutoff Current

nAdc

(V _CE= –30 Vdc, V _EB= –3.0 Vdc)

Collector Cutoff Current

– 50

I _CEX

(V _CE= –30 Vdc, V _EB= –3.0 Vdc)

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

—

3. Pulse Width

<300 µs; Duty Cycle <2.0%.

LMBT3906LT1-1/6

12 3 4 5 6

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LMBT3906LT1G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMBT3906-13-F	DIODES	类似代替	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, GREEN,
KN3906S	KEC	功能相似	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)

与LMBT3906LT1G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
LMBT3906TT1	LRC	获取价格	General Purpose Transistors
LMBT3906TT1G	LRC	获取价格	General Purpose Transistors
LMBT3906WT1	LRC	获取价格	General Purpose Transistors
LMBT3906WT1G	LRC	获取价格	General Purpose Transistors
LMBT3908LT1G	LRC	获取价格	General Purpose Transistor
LMBT3908LT1G_15	LRC	获取价格	General Purpose Transistor
LMBT3908LT3G	LRC	获取价格	General Purpose Transistor
LMBT3946DW1T1	LRC	获取价格	Dual General Purpose Transistors
LMBT3946DW1T1G	LRC	获取价格	Dual General Purpose Transistors
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