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LMBT3904TT1

更新时间： 2024-11-05 11:37:03

品牌	Logo	应用领域
乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	162K
描述
General Purpose Transistors

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LMBT3904TT1 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.79
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	30
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

LMBT3904TT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

GeneralPurposeTransistors

NPN Silicon

FEATURE

ƽSimplifies Circuit Design.

ƽThis is a Pb-Free Device.

LMBT3904TT1

ORDERING INFORMATION

Device

Package

Shipping

LMBT3904TT1

SC-89

3000/Tape&Reel

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

SC-89

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

V _CEO

V _CBO

V _EBO

I _C

Vdc

COLLECTOR

6.0

Vdc

200

mAdc

BASE

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

EMITTER

Symbol

P_D

Max

Unit

Total Device Dissipation FR– 4 Board, (1)

T_A= 25°C

200

Derate above 25°C

1.6

600

300

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R_θJA

P_D

FR-4 Board(2), T_A= 25°C

Derate above 25°C

2.4

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R_θJA

400

T_J, T_stg

–55 to +150

°C

DEVICE MARKING

LMBT3904TT1 = AM

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage(3)

(I _C= 1.0 mAdc)

V _(BR)CEO

V _(BR)CBO

V _(BR)EBO

I _BL

6.0

—

Vdc

Collector–Base Breakdown Voltage

(I _C= 10 µAdc)

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I _E= 10 µAdc)

Vdc

Base Cutoff Current

nAdc

( V _CE= 30 Vdc, V _EB= 3.0 Vdc, )

Collector Cutoff Current

I _CEX

—

( V _CE= 30Vdc, V _BE= 3.0Vdc )

1. FR-4 Minimum Pad.

2. FR-4 1.0 x 1.0 Inch Pad.

3. Pulse Test: Pulse Width

<300 µs, Duty Cycle <2.0%.

LMBT3904TT1-1/7

12 3 4 5 6 7

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