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LMBT2369LT1G

更新时间： 2024-09-15 05:42:23

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乐山 - LRC		晶体开关晶体管光电二极管
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Switching Transistors

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LMBT2369LT1G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
集电极-发射极最大电压：	15 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	18 ns
最大开启时间（吨）：	12 ns	Base Number Matches：	1

LMBT2369LT1G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

SwitchingTransistors

We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.

ORDERING INFORMATION

LMBT2369LT1G

LMBT2369ALT1G

Device

Marking

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LMBT2369LT1G

LMBT2369ALT1G

LMBT2369LT3G

LMBT2369ALT3G

M1J

1JA

3000/Tape & Reel

10000/Tape & Reel

M1J

1JA

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

V _CEO

V _CES

V _CBO

V _EBO

I _C

Value

Unit

Vdc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Vdc

SC-23/TO-236AB

Vdc

COLLECTOR

4.5

200

Vdc

Collector Current — Continuous

mAdc

BASE

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

EMITTER

Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)

T_A= 25°C

P_D

225

Derate above 25°C

1.8

556

300

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R_θJA

P_D

Alumina Substrate, (2) T_A= 25°C

Derate above 25°C

2.4

mW/°C

°C/W

°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R_θJA

417

T_J, T_stg

–55 to +150

DEVICE MARKING

LMBT2369LT1G= M1J, LMBT2369A LT1G = 1JA

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage(3)

(I _C= 10 mAdc, I _B= 0)

V _(BR)CEO

V _(BR)CES

V _(BR)CBO

4.5

—

Vdc

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I _C= 10 µAdc, V _BE= 0)

Collector–Base Breakdown Voltage

(I _C= 10 µAdc, I _E= 0)

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I _E= 10 µAdc, I _C= 0)

Vdc

(BR)EBO

Collector Cutoff Current( V _CB= 20Vdc, I _E= 0)

( V _CB= 20Vdc, I _E= 0, T _A=150 °C)

Collector Cutoff Current

I _CBO

—

0.4

µAdc

I _CES

—

0.4

µAdc

( V _CE= 20Vdc, V _BE= 0)

LMBT2369A

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

3. Pulse Test: Pulse Width

< 300 µs, Duty Cycle < 2.0%.

1/6

12 3 4 5 6

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