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LMBR3200FT1G

更新时间： 2024-09-12 12:26:39
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 二极管光电二极管瞄准线功效
页数 文件大小 规格书
7页 166K
描述
Schottky Barrier Rectifiers Reverse Voltage 20 to 200V Forward Current 3.0A

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LMBR3200FT1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：R-PDSO-F2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.74Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.92 V
JESD-30 代码：R-PDSO-F2最大非重复峰值正向电流：80 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向电流：500 µA表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：FLAT
端子位置：DUALBase Number Matches：1

LMBR3200FT1G 数据手册

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LMBR320FT1G thru LMBR3200FT1G  
Schottky Barrier Rectifiers  
Reverse Voltage 20 to 200V Forward Current 3.0A  
FEATURES  
* Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-0  
* Low power loss,high efficiency  
* For use in low voltage high frequency inverters,  
free wheeling,and polarity protection applications  
* Guardring for over voltage protection  
* High temperature soldering guaranteed:  
260°C/10 seconds at terminals  
Mechanical Data  
Case: SOD123-FL/MINI SMA  
molded plastic over sky die  
Terminals: Tin Plated, solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Mounting Position: Any  
We declare that the material of product is  
Haloggen free (green epoxy compound)  
Weight: 0.0155 g  
Handling precautin:None  
1.Electrical Characteristic  
Maximum & Thermal Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
LMBR  
LMBR  
LMBR  
LMBR  
LMBR  
LMBR  
LMBR  
LMBR  
LMBR  
Parameter Symbol  
symbol  
Unit  
V
320FT1G 330FT1G 340FT1G 350FT1G 360FT1G 380FT1G 3100FT1G 3150FT1G 3200FT1G  
device marking code  
32  
20  
33  
30  
34  
40  
35  
50  
36  
60  
38  
80  
310  
100  
315  
150  
320  
200  
Maximum repetitive peak reverse  
voltage  
VRRM  
Maximum RMS voltage  
VRMS  
VDC  
14  
20  
21  
30  
28  
40  
35  
50  
42  
60  
56  
80  
70  
105  
150  
140  
200  
V
V
Maximum DC blocking voltage  
100  
Maximum average forward rectified  
current at TA = 75°C  
3.0  
IF(AV)  
A
Peak forward surge current 8.3ms  
single half sine-wave superimposed  
on rated load (JEDEC Method)  
80  
IFSM  
A
110  
40  
RθJA  
RθJC  
Typical thermal resistance (Note 1)  
°C/W  
–55 to +150  
–65 to +175  
Operating junction temperature range  
storage temperature range  
TJ  
°C  
°C  
TSTG  
Electrical Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
LMBR  
LMBR  
LMBR  
LMBR  
LMBR  
LMBR  
LMBR  
LMBR  
LMBR  
Parameter Symbol  
symbol  
Unit  
V
320FT1G 330FT1G 340FT1G 350FT1G 360FT1G 380FT1G 3100FT1G 3150FT1G 3200FT1G  
Maximum instantaneous forward  
voltage at 3.0A  
VF  
0.50  
0.70  
0.85  
0.9  
0.92  
Maximum DC reverse current at rated  
0.5  
20  
DC blocking voltage TA = 25  
℃
IR  
mA  
PF  
Tj = 100  
℃
Typical junction capacitance at  
4.0V, 1MHz  
160  
CJ  
NOTES:  
1. 8.0mm2 (.013mm thick) land areas  
1234567

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与LMBR3200FT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
LMBR320FT1G LRC

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 		Schottky Barrier Rectifiers Reverse Voltage 20 to 200V Forward Current 3.0A
LMBR330FT1G LRC

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LMBR340FT1G LRC

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LMBT2222 LRC

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 		General Purpose Transistors NPN Silicon RoHS requirements.
LMBT2222A LRC

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 		General Purpose Transistors NPN Silicon RoHS requirements.
LMBT2222ADW1T1G LRC

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 		Dual General Purpose Transistors
LMBT2222ADW1T1G_12 LRC

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 		Dual General Purpose Transistors NPN Silicon ROHS requirements.

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