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LMBD914LT1G

更新时间： 2024-10-02 03:51:39
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 二极管开关
页数 文件大小 规格书
3页 58K
描述
High-Speed Switching DIODE

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LMBD914LT1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.7配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流：0.5 A元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.225 W最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向恢复时间：0.004 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

LMBD914LT1G 数据手册

 浏览型号LMBD914LT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LMBD914LT1G的Datasheet PDF文件第3页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
High−Speed Switching  
Diode  
LMBD914LT1  
Features  
• Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a  
3
Pb−Free Lead Finish  
1
MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Value  
100  
Unit  
Vdc  
Rating  
Reverse Voltage  
2
V
R
SOT-23  
Forward Current  
I
200  
mAdc  
mAdc  
F
Peak Forward Surge Current  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
500  
FM(surge)  
3
1
Symbol  
Max  
Unit  
CATHODE  
ANODE  
Total Device Dissipation  
FR–5 Board (Note 1.)  
P
D
225  
mW  
T = 25°C  
Derate above 25°C  
MARKING DIAGRAM  
5D  
A
1.8  
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient  
R
556  
q
JA  
Total Device Dissipation  
P
D
300  
mW  
Alumina Substrate (Note 2.)  
5D = Device Code  
T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
2.4  
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient  
R
417  
q
JA  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
–55 to  
+150  
°C  
J
stg  
ORDERING INFORMATION  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
†
Device  
Package  
Shipping  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
LMBD914LT1  
SOT−23  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
OFF CHARACTERISTICS  
Reverse Breakdown Voltage  
LMBD914LT1G  
SOT−23  
V
(BR)  
100  
–
Vdc  
(Pb−Free)  
(I = 100 mAdc)  
R
Reverse Voltage Leakage Current  
I
R
(V = 20 Vdc)  
(V = 75 Vdc)  
R
–
–
25  
5.0  
nAdc  
mAdc  
R
Diode Capacitance  
(V = 0, f = 1.0 MHz)  
R
C
–
–
–
4.0  
1.0  
4.0  
pF  
Vdc  
ns  
T
Forward Voltage  
(I = 10 mAdc)  
F
V
F
Reverse Recovery Time  
t
rr  
(I = I = 10 mAdc) (Figure 1)  
F
R
1. FR–5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
LMBD914LT1-1/3  
123

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