5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > LMBD7000LT1G
LMBD7000LT1G PDF预览

LMBD7000LT1G

更新时间： 2024-02-05 04:27:56
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 二极管开关
页数 文件大小 规格书
3页 113K
描述
Dual Switching Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

LMBD7000LT1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.66
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.7 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G3最大非重复峰值正向电流：0.5 A
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.225 W
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向恢复时间：0.004 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

LMBD7000LT1G 数据手册

 浏览型号LMBD7000LT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LMBD7000LT1G的Datasheet PDF文件第3页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Dual Switching Diode  
LMBD7000LT1  
• Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a  
Pb−Free Lead Finish  
3
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
1
LMBD7000LT1  
SOT–23  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
2
LMBD7000LT1G SOT–23  
SOT– 23  
MAXIMUM RATINGS(EACH DIODE)  
Rating  
Symbol  
Value  
100  
Unit  
Vdc  
Reverse Voltage  
V
R
Forward Current  
I F  
200  
mAdc  
mAdc  
Peak Forward Surge Current  
IFM(surge)  
500  
2
THERMALCHARACTERISTICS  
Characteristic  
Total Device Dissipation FR– 5 Board (1)  
1
CATHODE  
Symbol  
Max  
Unit  
ANODE  
P
225  
mW  
D
3
T A = 25°C  
CATHODE/ANODE  
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R θ JA  
P
D
Alumina Substrate, (2) T A = 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R θ JA  
T J , T stg  
–55 to +150  
DEVICEMARKING  
LMBD7000LT1 = M5C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted)(EACH DIODE)  
Characteristic  
OFFCHARACTERISTICS  
Reverse Breakdown Voltage  
(I (BR) = 100 µAdc)  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
V (BR)  
100  
—
Vdc  
Reverse Voltage Leakage Current  
(V R = 50 Vdc)  
µAdc  
IR  
IR2  
IR3  
V F  
—
—
—
1.0  
3.0  
100  
(V R = 100 Vdc)  
(V R = 50 Vdc,125°C)  
Forward Voltage  
Vdc  
(I F = 1.0 mAdc)  
0.55  
0.67  
0.75  
0.7  
0.82  
1.1  
(I F = 10 mAdc)  
(I F = 100 mAdc)  
Reverse Recovery Time  
(I F = I R = 10 mAdc) (Figure 1)  
Capacitance(VR=0V)  
trr  
C
—
4.0  
ns  
pF  
—
1.5  
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
LMBD7000LT1–1/3  
123

中文翻译

下载PDF

与LMBD7000LT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
LMBD7000WT1G LRC

获取价格

 		Dual Switching Diode
LMBD914LT1 LRC

获取价格

 		High-Speed Switching DIODE
LMBD914LT1G LRC

获取价格

 		High-Speed Switching DIODE
LMBE12RA BANNER

获取价格

 		EZ-LIGHT® K50 Rotating and Strobing Beacon
LMBE12RA35 BANNER

获取价格

 		EZ-LIGHT® K50 Rotating and Strobing Beacon
LMBE12RA45 BANNER

获取价格

 		EZ-LIGHT® K50 Rotating and Strobing Beacon
LMBE12RAC BANNER

获取价格

 		EZ-LIGHT® K50 Rotating and Strobing Beacon
LMBF170LT1 LRC

获取价格

 		N-CHANNEL POWER MOSFET
LMBF170LT1G LRC

获取价格

 		N-CHANNEL POWER MOSFET
LMBF170LT3 LRC

获取价格

 		N-CHANNEL POWER MOSFET

与LMBD7000LT1G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证