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LM7534N/B+

更新时间: 2024-02-21 12:50:07
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其他 - ETC 存储放大器光电二极管
页数 文件大小 规格书
19页 509K
描述
Core-Memory Sense Amplifier

LM7534N/B+ 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92模拟集成电路 - 其他类型:ANALOG CIRCUIT
JESD-30 代码:R-PDIP-T16JESD-609代码:e0
端子数量:16最高工作温度:70 °C
最低工作温度:封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP16,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
认证状态:Not Qualified子类别:Other Analog ICs
表面贴装:NO技术:BIPOLAR
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

LM7534N/B+ 数据手册

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