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LM74800MDRRR

更新时间： 2023-09-03 20:30:51
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德州仪器 - TI 控制器二极管
页数 文件大小 规格书
38页 4660K
描述
具有 -55°C 至 125°C 工作温度范围的 3V 至 65V 背对背 NFET 理想二极管控制器 | DRR | 12 | -55 to 125

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LM74800MDRRR 数据手册

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LM7480  
ZHCSNK0 –DECEMBER 2022  
LM7480 用于驱动背对背NFET 的3V 至65V 理想二极管控制器  
1 特性  
3 说明  
• 适用于扩展温度范围的应用  
– 器件温度：  
-55°C 至+125°C 环境工作温度范围  
• 3V 至65V 输入范围  
• 反向输入保护低至–65V  
• 在共漏极和共源极配置下，可驱动外部背对背N 沟  
道MOSFET  
• 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管  
正常运行(LM74800)  
• 低反向检测阈值(–4.5mV)，能够快速响应(0.5µs)  
• 20mA 峰值栅极(DGATE) 导通电流  
• 2.6A 峰值DGATE 关断电流  
• 可调节过压保护  
LM7480 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背N  
沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过  
压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入  
电源电压可保护和控制 12V 和 24V 输入供电系统。该  
器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电  
压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动  
第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输  
入保护和输出电压保持。在电源路径中使用了第二个  
MOSFET 的情况下，该器件允许负载断开（开/关控  
制）并使用 HGATE 控制提供过压保护。该器件具有可  
调节过压切断保护功能。LM7480 有两种型号：  
LM74800 和 LM74801。LM74800 使用线性稳压和比  
较器方案来实现反向电流阻断功能，而 LM74801 支持  
基于比较器的方案。通过功率 MOSFET 的共漏极配  
置，可以使用另一个理想二极管将中点用于 ORing 设  
计。LM7480 的最大额定电压为 65V。通过在共源极拓  
扑中为器件配置外部 MOSFET，可以保护负载免受过  
压瞬态（例如 24V 电池系统中的 200V 未抑制负载突  
降）的影响。  
• 2.87µA 低关断电流（EN/UVLO = 低电平）  
• 采用节省空间的12 引脚WSON 封装  
2 应用  
• 航电设备输入反极性保护  
– 传感器  
– 成像  
– 雷达  
• 用于冗余电源的有源ORing  
封装信息  
封装(1)  
封装尺寸（标称值）  
器件型号  
LM74800  
LM74801  
WSON (12)  
3.00mm × 3.00mm  
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
VOUT2  
(Always ON)  
VBATT:  
12V/24V  
with 200V Load Dump  
60V  
200V  
Q2  
Q1  
VOUT  
Q1  
Q2  
VBATT  
12 V  
VOUT1  
(VBATT Switched)  
R1  
10k  
C
HGATE  
VS  
OUT  
A
DGATE  
DGATE CAP VS  
A
C
D1  
HGATE  
SMBJ36CA  
C1  
1µF  
OUT  
VSNS  
SW  
D1  
60V  
CAP  
SNS  
LM7480x  
GND  
R1  
BATT_MON  
LM7480x  
GND  
SW  
R1  
R2  
R2  
EN/UVLO  
ON OFF  
EN/UVLO  
OV  
ON OFF  
OV  
R3  
具有200V 负载突降保护功能的理想二极管  
具有开关输出的理想二极管  
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问  
www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SNOSDD8  
 
 
 
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