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LM74720QDRRRQ1

更新时间： 2024-10-02 11:14:23
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 控制器二极管
页数 文件大小 规格书
28页 3108K
描述
具有有源整流和负载突降保护功能的汽车类低 IQ 理想二极管控制器 | DRR | 12 | -40 to 125

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LM74720QDRRRQ1 数据手册

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LM74720-Q1  
ZHCSOW4B –SEPTEMBER 2021 –REVISED MARCH 2022  
LM74720-Q1 具有有源整流和负载突降保护功能的低IQ 汽车类理想二极管控制  
器
1 特性  
3 说明  
• 具有符合AEC-Q100 标准的下列特性  
LM74720-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背  
对背N 沟道MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控  
制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的  
宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池  
供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –  
65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器  
(GATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极  
管，实现反向输入保护和输出电压保持功能。具有快速  
导通和关断比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试  
（如 ISO16750 或 LV124）期间实现稳健、高效的  
MOSFET 开关性能，期间 ECU 会收到输入短时中断  
以及频率高达 100 kHz 的交流叠加输入信号。运行期  
间的低静态电流 35 µA（最大值）可实现常开型系统设  
计。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，  
该器件允许使用 EN 引脚实现负载断开控制。在EN 处  
于低电平时，静态电流降至 3.3 μA（最大值）。该器  
件具有可调节过压切断保护功能，可提供负载突降保  
护。  
– 器件温度等级1：  
–40°C 至+125°C 环境工作温度范围  
– 器件HBM ESD 分类等级2  
– 器件CDM ESD 分类等级C4B  
• 3V 至65V 输入范围  
• 反向输入保护低至–65V  
• 低静态电流：运行时35 µA（最大值）  
• 3.3 µA（最大值）低关断电流（EN = 低电平）  
• 17 mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正  
常运行  
• 驱动外部背对背N 沟道MOSFET  
• 集成型29 mA 升压稳压器  
• 快速响应反向电流阻断：0.5 µs  
• 高达100 kHz 的有源整流  
• 可调节过压保护  
• 采用合适的TVS 二极管，符合汽车ISO7637 瞬态  
要求  
• 采用节省空间的12 引脚WSON 封装  
• 与LM74721-Q1 引脚对引脚兼容  
器件信息  
封装(1)  
封装尺寸（标称值）  
器件型号  
LM74720-Q1  
WSON (12)  
3.0mm × 3.0mm  
2 应用  
• 汽车电池保护  
– ADAS 域控制器  
– 出色的音频放大器  
– 音响主机  
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
– 网关  
Q1  
Q1  
Q2  
VBATT  
12 V  
VOUT  
VBATT  
12 V  
VOUT  
PD  
C VS CAP LX  
GATE  
A
D1  
C VS CAP LX  
PD  
GATE  
A
D1  
SMBJ36CA  
SMBJ36CA  
VSNS  
SW  
VSNS  
SW  
R1  
BATT_MON  
LM74720-Q1  
GND  
R1  
BATT_MON  
LM74720-Q1  
GND  
R2  
EN  
R2  
ON OFF  
OV  
EN  
R3  
ON OFF  
OV  
R3  
具有开关输出的低IQ 理想二极管  
低IQ 理想二极管  
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问  
www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SLVSFH8  
 
 
 
 
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