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LM74670QDGKRQ1

更新时间: 2024-11-28 11:10:59
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 栅极驱动控制器光电二极管驱动器
页数 文件大小 规格书
26页 1428K
描述
具有 70uA 栅极驱动器的 0.48V 至 42V、零 IQ 汽车理想二极管整流器控制器 | DGK | 8 | -40 to 125

LM74670QDGKRQ1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:TSSOP,
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:6 weeks风险等级:1.53
模拟集成电路 - 其他类型:ANALOG CIRCUITJESD-30 代码:R-PDSO-G8
长度:3 mm湿度敏感等级:2
功能数量:1端子数量:8
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
筛选级别:AEC-Q100座面最大高度:1.1 mm
最大供电电压 (Vsup):42 V表面贴装:YES
温度等级:AUTOMOTIVE端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
宽度:3 mmBase Number Matches:1

LM74670QDGKRQ1 数据手册

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LM74670-Q1  
ZHCSGN3A SEPTEMBER 2015REVISED OCTOBER 2015  
LM74670-Q1 IQ 智能二极管整流器控制器  
1 特性  
3 说明  
1
符合 AEC-Q100 标准,其中包括以下内容:  
LM74670-Q1 是一种控制器器件,可在交流发电机的  
全桥或半桥整流器架构中与 N 通道 MOSFET 搭配使  
用。它旨在驱动外部 MOSFET 以模拟理想二极管。此  
方案独一无二的优势在于其并无接地基准,因此其具有  
IQ。采用全桥或半桥整流器和交流发电机的肖特基  
二极管可以替换为 LM74670-Q1 解决方案,以避免正  
向导电二极管损耗并使交流/直流转换器更加高效。  
器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境工作温  
度范围  
超出人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级  
2
器件充电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C4B  
峰值输入交流电压:42V  
IQ  
LM74670-Q1 控制器为外部 N 通道 MOSFET 提供栅  
极驱动,并配有快速响应内部比较器,可使 MOSFET  
栅极在反极性情况下放电。此器件支持频率高达  
300Hz 的交流信号。  
适用于外部 N 通道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器  
与肖特基二极管相比,正向压降和功耗更低  
能够处理频率高达 300Hz 的交流信号  
2 应用  
器件信息(1)  
交流整流器  
器件型号  
封装  
VSSOP (8)  
封装尺寸(标称值)  
交流发电机  
电动工具  
LM74670-Q1  
3.00mm x 5.00mm  
(1) 如需了解所有可用封装,请参阅产品说明书末尾的可订购产品  
附录。  
反极性保护  
智能二极管全桥整流器应用  
智能二极管配置  
Q1  
VIN  
VOUT  
S
D
G
AC Input  
GATE DRIVE GATE PULL DOWN  
ANODE  
CATHODE  
LM74670  
VCAPH  
VCAPL  
VCAP  
C
OUT  
LOAD  
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,  
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.  
English Data Sheet: SNOSD08  
 
 
 
 

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