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LM74610QDGKRQ1

更新时间: 2024-11-28 11:12:07
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 控制器光电二极管
页数 文件大小 规格书
31页 1628K
描述
0.48V 至 42V、零 IQ 汽车理想二极管控制器 | DGK | 8 | -40 to 125

LM74610QDGKRQ1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:TSSOP,
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:6 weeks风险等级:1.63
可调阈值:NO模拟集成电路 - 其他类型:POWER SUPPLY SUPPORT CIRCUIT
JESD-30 代码:R-PDSO-G8长度:3 mm
湿度敏感等级:2信道数量:1
功能数量:1端子数量:8
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
筛选级别:AEC-Q100座面最大高度:1.07 mm
表面贴装:YES温度等级:AUTOMOTIVE
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL阈值电压标称:6.3
宽度:3 mmBase Number Matches:1

LM74610QDGKRQ1 数据手册

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LM74610-Q1  
ZHCSE83A JULY 2015REVISED OCTOBER 2015  
LM74610-Q1 IQ 反极性保护智能二极管控制器  
1 特性  
2 应用  
1
符合汽车应用要求  
具有符合 AEC-Q100 的下列结果:  
高级驾驶员辅助系统 (ADAS)  
信息娱乐系统  
电动工具(工业)  
传输控制单元 (TCU)  
电池 OR-ing 应用  
超出人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级  
2
器件充电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C4B  
最低反向电压:45V  
3 说明  
正极引脚无正电压限制  
LM74610-Q1 是一款控制器器件,可与 N 沟道  
MOSFET 一同用于反极性保护电路。 其设计用于驱动  
外部 MOSFET,串联电源时可模拟理想二极管整流  
器。 该机制的独特优势在于不以接地为参考,因此 Iq  
为零。  
适用于外部 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管  
(MOSFET) 的电荷泵栅极驱动器  
功耗比肖特基二极管/PFET 解决方案更低  
低反极性泄漏电流  
IQ  
2µs 内快速响应反极性情况  
-40°C 125°C 工作环境温度  
可用于 OR-ing 应用  
LM74610-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供栅  
极驱动,并配有快速响应内部比较器,可使 MOSFET  
栅极在反极性情况下放电。 这种快速降压特性有效限  
制了检测到反极性时反向电流的大小和持续时间。 此  
外,该器件设计选用了合适的 TVS 二极管,符合  
CISPR25 5 EMI 规范和汽车类 ISO7637 瞬态要  
求。  
符合 CISPR25 EMI 规范  
选用了合适的瞬态电压抑制器 (TVS) 二极管,满足  
汽车类 ISO7637 瞬态要求  
器件信息(1)  
部件号  
封装  
封装尺寸(标称值)  
LM74610-Q1  
VSSOP (8)  
3.0mm x 5.0mm  
(1) 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。  
智能二极管配置  
Q1  
VIN  
VOUT  
S
D
G
Gate Drive  
Gate Pull Down  
Anode  
Cathode  
LM74610-Q1  
VCAPH  
VCAPL  
Vcap  
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,  
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.  
English Data Sheet: SNOSCZ1  
 
 
 
 

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