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LM74502QDDFRQ1

更新时间： 2023-09-03 20:32:39
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 栅极驱动控制器
页数 文件大小 规格书
28页 1901K
描述
汽车类反极性保护控制器，过压保护，栅极驱动强度 60μA | DDF | 8 | -40 to 125

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LM74502QDDFRQ1 数据手册

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LM74502-Q1, LM74502H-Q1  
ZHCSNL2A –FEBRUARY 2022 –REVISED MAY 2022  
LM74502-Q1、LM74502H-Q1 具有过压保护功能的汽车类低IQ 反极性保护控制  
器
1 特性  
3 说明  
• 具有符合AEC-Q100 标准的下列特性  
LM74502-Q1、LM74502H-Q1 是符合汽车 AEC-Q100  
标准的控制器，与外部背对背连接的 N 沟道 MOSFET  
配合工作，可实现低损耗反极性保护和负载断开解决方  
案。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围可实现对众多常用  
直流总线电压（例如：12V、24V 和 48V 汽车电池系  
统）的控制。3.2V 输入电压支持适用于汽车系统中严  
苛的冷启动要求。该器件可以承受并保护负载免受低至  
–65V 的负电源电压的影响。LM74502-Q1 、  
LM74502H-Q1 没有反向电流阻断功能，适用于对有可  
能将能量传输回输入电源的负载（如汽车车身控制模块  
电机负载）提供输入反极性保护。  
– 器件温度等级1：  
–40°C 至+125°C 环境工作温度范围  
– 器件HBM ESD 分类等级2  
– 器件CDM ESD 分类等级C4B  
• 3.2V 至65V 输入范围（3.9V 启动）  
• -65V 输入反向电压额定值  
• 集成电荷泵用于驱动  
– 外部背对背N 沟道MOSFET  
– 外部高侧开关MOSFET  
– 外部反极性保护MOSFET  
• 栅极驱动器型号  
LM74502-Q1 控制器可提供适用于外部 N 沟道  
MOSFET 的电荷泵栅极驱动器。LM74502-Q1 的高电  
压额定值有助于简化满足 ISO7637 汽车保护测试标准  
的系统设计。当使能引脚处于低电平时，控制器关闭，  
消耗大约 1µA 的电流，从而在进入睡眠模式时提供低  
系统电流。LM74502-Q1 具有可编程的过压和欠压保  
护功能，可在发生这些故障时将负载从输入源切断。  
– LM74502-Q1：60μA 峰值栅极驱动拉电流能力  
– LM74502H-Q1：11mA 峰值栅极驱动拉电流能  
力
• 2A 峰值栅极灌电流能力  
• 1µA 关断电流（EN/UVLO = 低电平）  
• 45µA 典型工作静态电流（EN/UVLO = 高电平）  
• 可调节过压和欠压保护  
• 采用额外的TVS 二极管，符合汽车ISO7637 脉冲  
1 瞬态要求  
器件信息(1)  
封装尺寸（标称值）  
器件型号  
封装  
LM74502-Q1  
LM74502H-Q1  
• 采用8 引脚SOT-23 封装2.90mm × 1.60mm  
SOT-23 (8)  
2.90mm × 1.60mm  
2 应用  
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
• 车身电子装置和照明  
• 汽车信息娱乐系统- 数字仪表组、音响主机  
• 汽车USB 集线器  
Q1  
VBATT  
VOUT  
VIN  
VOUT  
CIN  
CIN  
COUT  
COUT  
SRC  
SRC  
GATE  
VS  
VS  
GATE  
CVCAP  
CVCAP  
R1  
R1  
VCAP  
OV  
VCAP  
OV  
LM74502-Q1  
GND  
LM74502-Q1  
GND  
EN / UVLO  
EN/UVLO  
OFF  
ON  
OFF  
ON  
R2  
R2  
LM74502-Q1 具有过压保护功能的负载开关控制器  
LM74502-Q1 典型应用原理图  
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问  
www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SNOSDE0  
 
 
 
 
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