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LM74502DDFR

更新时间： 2023-09-03 20:28:10

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德州仪器 - TI		栅极驱动控制器
页数	文件大小	规格书
30页	2000K
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具有负载断开和高栅极驱动功能的 3.2V 至 65V 工业 RPP 控制器 \| DDF \| 8 \| -40 to 125

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LM74502DDFR 数据手册

LM74502, LM74502H

ZHCSO25A –DECEMBER 2021 –REVISED MAY 2022

LM74502，LM74502H 具有反极性保护和过压保护功能的低IQ 高侧开关控制器

1 特性

3 说明

• 3.2V 至65V 输入范围（3.9V 启动）

• -65V 输入反向电压额定值

• 集成电荷泵用于驱动

LM74502/LM74502H 控制器与外部背对背连接的N 沟

道 MOSFET 配合工作，可实现低损耗反极性保护和负

载断开的解决方案。该器件也可以配置为具有过压保护

功能的负载开关，用于驱动高侧 MOSFET。3.2V 至

65V 的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电

压（例如，12V、24V 和 48V 输入系统）的控制。该

器件可以承受并保护负载免受低至 -65V 的负电源电压

的影响。LM74502/LM74502H 没有反向电流阻断功

能，仅适用于进行输入反极性保护。

– 外部背对背N 沟道MOSFET

– 外部高侧开关MOSFET

– 外部反极性保护MOSFET

• 栅极驱动器型号

– LM74502：60μA 峰值栅极驱动拉电流能力

– LM74502H：11mA 峰值栅极驱动拉电流能力

• 2.3A 峰值栅极灌电流能力

LM74502 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供电荷泵

栅极驱动。当使能引脚处于低电平时，控制器关闭，消

耗大约 1µA 的电流，从而在进入睡眠模式时提供低系

统电流。LM74502 和LM74502H 还具有可编程的过压

和欠压保护功能，可在发生故障时将负载从输入源切

断。这些器件采用 2.9mm × 1.6mm 8 引脚 DDF 封

装，额定工作温度范围为–40°C 至+125°C。

• 使能引脚特性

• 45µA 典型工作静态电流（EN/UVLO = 高电平）

• 1µA 关断电流（EN/UVLO = 低电平）

• 可调节过压和欠压保护

• –40°C 至+125°C 环境工作温度范围

• 采用8 引脚SOT-23 封装2.90mm × 1.60mm

器件信息⁽¹⁾

2 应用

封装尺寸（标称值）

器件型号

LM74502

LM74502H

封装

• 工厂自动化和控制–PLC 数字输出模块

• 工业电机驱动

• 工业运输

SOT-23 (8)

2.90mm × 1.60mm

• 电源反极性保护

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

Q₁

VIN

C_IN

VOUT

VIN

V_OUT

C_OUT

C_IN

C_OUT

SRC

GATE

SRC

C_VCAP

R₁

VCAP

LM74502

VCAP

LM74502

EN / UVLO

OFF

EN/UVLO

R₂

OFF

R₂

GND

LM74502 具有过压保护功能的负载开关控制器

LM74502 典型应用原理图

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SNOSDE5

12 3 4 5 6 7...30

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