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LM66100QDCKRQ1

更新时间: 2024-11-28 11:13:47
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德州仪器 - TI 二极管
页数 文件大小 规格书
22页 1923K
描述
具有集成式 FET 的汽车类 1.5V 至 5.5V、1.5A、0.5µA IQ 理想二极管 | DCK | 6 | -40 to 125

LM66100QDCKRQ1 数据手册

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LM66100-Q1  
ZHCSO26A NOVEMBER 2021 REVISED MARCH 2022  
LM66100-Q1 具有输入极性保护功能5.5V1.5A79mΩ、汽车类IQ 理想二  
极管  
1 特性  
3 说明  
• 符合面向汽车应用AEC-Q100 标准  
LM66100-Q1 是一款单输入单输出 (SISO) 集成式理想  
二极管是各种应用的理想之选。该器件包含一个可在  
1.5V 5.5V 入电压范围内运行的 P 道  
MOSFET并且支1.5A 的最大持续电流。  
– 器件温度等1-40°C 125°C 环境工作温度  
范围  
• 宽工作电压范围1.5V 5.5V  
VIN 反向关断电压:  
绝对最大值6V  
• 最大持续电(IMAX)1.5A  
• 导通电(RON):  
5V VIN = 79mΩ典型值)  
3.6V VIN = 91mΩ典型值)  
1.8V VIN = 141mΩ典型值)  
• 启用比较器芯(CE)  
• 通道状态指(ST)  
• 低电流消耗:  
该芯片通过比较 CE 引脚电压和输入电压来提供支持。  
CE 引脚电压高于输入电压时该器件被禁用并且  
MOSFET 关断。当 CE 引脚电压比较低时MOSFET  
开启。LM66100-Q1 还具有反极性保护 (RPP) 功能,  
可保护器件不受输入接线错误的影响例如电池装反。  
可在 ORing 配置中使用两个 LM66100-Q1 器件其实  
施方法与双二极管 ORing 相似。在此配置中该器件  
将最高输入电压传递到输出端同时阻断反向电流流入  
输入电源。这些器件可比较输入和输出电压从而确保  
内部电压比较器成功阻断反向电流。  
3.6V VIN 关断电(ISD,VIN)120nA典型值)  
3.6V VIN 静态电(IQ, VIN)150nA典型值)  
LM66100-Q1 采用标准 SC-70 封装工作结温范围为  
40°C 150°C。  
2 应用  
器件信息(1)  
信息娱乐系统、仪表组和音响主机  
汽车仪表组显示器  
ADAS 环视系ECU  
车身控制模块和网关  
封装尺寸标称值)  
器件型号  
封装  
SC-70 (6)  
LM66100-Q1  
2.1mm × 2.0mm  
(1) 如需了解所有可用封装请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
典型应用  
本文档旨在为方便起见提供有TI 产品中文版本的信息以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息请访问  
www.ti.com其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SLVSGD6  
 
 
 
 

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