5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP, SOP8,.25 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.33.00.01 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 0.32 | 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK | 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.5 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 0.25 µA | 最小共模抑制比： | 65 dB |
| 标称共模抑制比： | 70 dB | 频率补偿： | NO |
| 最大输入失调电流 (IIO)： | 0.05 µA | 最大输入失调电压： | 7000 µV |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 4.9 mm | 低-偏置： | NO |
| 低-失调： | NO | 微功率： | NO |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP8,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 包装方法： | TR | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 功率： | NO | 电源： | +-1.5/+-15/3/30 V |
| 可编程功率： | NO | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.75 mm | 子类别： | Operational Amplifier |
| 最大压摆率： | 3 mA | 供电电压上限： | 32 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 最小电压增益： | 15000 |
| 宽带： | NO | 宽度： | 3.9 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| LM358DR2 | ONSEMI |
完全替代  |
DUAL DIFFERENTIAL INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS |
|
| LM358DG | ONSEMI |
类似代替 |
Single Supply Dual Operational Amplifiers |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LM358DRE4 | TI |
获取价格 |
DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS |
|
| LM358DRG3 | ROCHESTER |
获取价格 |
DUAL OP-AMP, 9000uV OFFSET-MAX, 0.7MHz BAND WIDTH, PDSO8, GREEN, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8 |
|
| LM358DRG3 | TI |
获取价格 |
DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS |
|
| LM358DRG4 | TI |
获取价格 |
DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS |
|
| LM358DT | ROHM |
获取价格 |
SILICON MONNOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT |
|
| LM358DT | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Low Power Dual Operational Amplifiers |
|
| LM358D-T | NXP |
获取价格 |
IC DUAL OP-AMP, 9000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, PDSO8, PLASTIC, SO-8, Operational Am |
|
| LM358DT_11 | ROHM |
获取价格 |
SIGNATURE SERIES Operational Amplifiers |
|
| LM358E | ETC |
获取价格 |
Analog IC |
|
| LM358EDR2G | ONSEMI |
获取价格 |
Single Supply Dual Operational Amplifiers |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
