是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | TSSOP, TSSOP8,.25 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.33.00.01 | 风险等级: | 5.18 |
放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER | 架构: | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB): | 0.1 µA | 25C 时的最大偏置电流 (IIB): | 0.05 µA |
标称共模抑制比: | 60 dB | 频率补偿: | YES |
最大输入失调电压: | 4000 µV | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 4.4 mm |
低-失调: | NO | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 2 | 端子数量: | 8 |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSSOP |
封装等效代码: | TSSOP8,.25 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 包装方法: | TAPE AND REEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | +-1.5/+-15/3/30 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | AEC-Q100 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最小摆率: | 0.3 V/us |
标称压摆率: | 0.6 V/us | 子类别: | Operational Amplifier |
最大压摆率: | 2 mA | 供电电压上限: | 32 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | BIPOLAR | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 标称均一增益带宽: | 1100 kHz |
最小电压增益: | 25000 | 宽度: | 3 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
LM358B | TAITRON |
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Dual Low Offset Operational Amplifier | |
LM358B | TI |
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Industry-Standard Dual Operational Amplifiers | |
LM358B | UTC |
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运算放大器 | |
LM358BA | TI |
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Industry-Standard Dual Operational Amplifiers | |
LM358BAIDDFR | TI |
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单路、36V、1.2MHz、2mV 失调电压运算放大器 | DDF | 8 | -40 t | |
LM358BAIDGKR | TI |
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单路、36V、1.2MHz、2mV 失调电压运算放大器 | DGK | 8 | -40 t | |
LM358BAIDR | TI |
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Industry-Standard Dual Operational Amplifiers | |
LM358BAIPWR | TI |
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单路、36V、1.2MHz、2mV 失调电压运算放大器 | PW | 8 | -40 to | |
LM358BIDDFR | TI |
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Industry-Standard Dual Operational Amplifiers | |
LM358BIDGKR | TI |
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Industry-Standard Dual Operational Amplifiers |